因此，電網(wǎng)可以考慮使用二維材料代替，有效解決以上問題。利用此方法，年輸還發(fā)現(xiàn)了界面對(duì)于電子隧穿方式的影響，物理吸附界面的TMR遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于化學(xué)吸附界面（圖六）。常見的解決方式如利用雜化泛函，配電雖然可以半經(jīng)驗(yàn)地修正半導(dǎo)體以及絕緣體的能隙，卻會(huì)得到錯(cuò)誤的金屬電子結(jié)構(gòu)。

北京航空航天大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院盧海昌副教授與劍橋大學(xué)工程系JohnRobertson院士等探究了尺寸微縮對(duì)于自旋轉(zhuǎn)移矩磁存儲(chǔ)器（STT-MRAM）材料選擇的影響，電網(wǎng)采用第一性原理計(jì)算對(duì)比了傳統(tǒng)鈷鐵硼氧化鎂結(jié)構(gòu)（CoFeB-MgO）與二維材料六方氮化硼（h-BN）在各方面的差異。圖二h-BN的complexbandstructure圖三不同類型的接觸界面以及吸附能，年輸(a)為化學(xué)吸附，年輸(b)(c)為物理吸附圖四肖特基勢壘隨著界面間距的變化，界面的偶極子對(duì)此的影響第一性原理研究金屬絕緣體界面會(huì)遇到傳統(tǒng)GGA方法無法正確描述絕緣體能帶結(jié)構(gòu)的問題。

圖五不同界面構(gòu)型的能帶結(jié)構(gòu)，配電以及氮化硼的p-bands圖六化學(xué)吸附界面與物理吸附界面隧穿特性的不同小結(jié)1.目前氮化硼的生長方法是化學(xué)氣相沉積法（CVD），配電這種方法使得氮化硼兩邊界面的接觸類型不一致。

本文研究了各種物理吸附以及化學(xué)吸附的界面（圖三），電網(wǎng)分析出了界面對(duì)于肖特基勢壘、電網(wǎng)費(fèi)米釘扎的影響（圖四），顛覆了費(fèi)米釘扎強(qiáng)度只是半導(dǎo)體本征性質(zhì)這一認(rèn)知。年輸1987年江雷從吉林大學(xué)固體物理專業(yè)畢業(yè)后留在本?；瘜W(xué)系物理化學(xué)專業(yè)就讀碩士。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)一步證實(shí)了這種調(diào)節(jié)是可行的，配電從而可以建立電荷轉(zhuǎn)移與催化之間的關(guān)系。該膜具有出色的耐久性，電網(wǎng)超柔韌性，防腐性能和耐低溫性能。

2003年榮獲教育部全國優(yōu)秀博士學(xué)位論文指導(dǎo)教師稱號(hào)，年輸同年由他為學(xué)術(shù)帶頭人的光功能材料的設(shè)計(jì)、制備與表征獲基金委創(chuàng)新研究群體資助。他先后發(fā)現(xiàn)了分子間電荷轉(zhuǎn)移激子的限域效應(yīng)、配電多種光物理和光化學(xué)性能的尺寸依賴性。