機(jī)遇(g)GMG器件的示意圖及橫截面圖示。做好(c)圖(a)中I-V曲線的擬合結(jié)果。憶阻器作為一種應(yīng)用前景廣闊的非易失性存儲設(shè)備，菱市場可有效模擬突觸結(jié)構(gòu)，并啟用神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)，因此受到了廣泛關(guān)注。

電力電帶文獻(xiàn)推薦：1.Self-AssembledNetworkedPbSDistributionQuantumDotsforResistiveSwitchingandArtifcialSynapsePerformanceBoostofMemristors.(Adv.Mater.DOI:10.1002/adfm.201705320)2.MemristorwithAg-cluster-dopedTiO2filmsasartificialsynapseforNeuroinspiredcomputing.(Adv.Funct.Mater.DOI:10.1002/adfm.201705320)3.GrapheneOxideQuantumDotsBasedMemristorswithProgressiveConductionTuningforArtifcialSynapticLearning.(Adv.Funct.Mater.DOI:10.1002/adfm.201803728)4.Designingcarbonconductivefilamentmemristordevicesformemoryandelectronicsynapseapplications.(Mater.Horiz.DOI:10.1039/C9MH01684H)5.TheRiseof2DPhotothermalMaterialsbeyondGrapheneforCleanWaterProduction.(Adv.Sci.DOI:10.1002/advs.201902236)。圖14.?Ag/MoOx/MoS2/Ag憶阻器的物理開關(guān)機(jī)制(a-c)MoOx/MoS2憶阻器示意圖，器件SEM圖像及XPS剖析圖。

張晗教授擔(dān)任多個SCI期刊專題主編/編委、機(jī)遇中國激光青年編委會秘書長、全國光學(xué)青年學(xué)術(shù)論壇第二屆主席團(tuán)副主席。

做好圖12.?AZA器件的Ag物理開關(guān)機(jī)制(a)I-V曲線的擬合結(jié)果(b,c)AZA器件的TEM圖像和元素分布圖像。經(jīng)過近半個世紀(jì)的發(fā)展，菱市場介孔材料的關(guān)注點已由起初的無機(jī)非金屬材料（如介孔氧化硅、菱市場介孔碳）逐漸轉(zhuǎn)移至具有更豐富功能介孔金屬基材料（如半導(dǎo)體金屬氧化物、碳化物）。

值得注意的是，電力電帶POMs因具有多種組分，電力電帶通常含有無機(jī)非金屬（如Si、P等）和金屬（如W、V和Mo），因此能夠很方便的實現(xiàn)多組分金屬基材料的一步合成，并實現(xiàn)非金屬組分的原位摻雜，從而顯著提高雜化材料的綜合性能。介孔金屬碳化物是由C原子嵌入至金屬位點形成的一類高熱穩(wěn)定性的特殊材料，器件相比之下，器件介孔金屬碳化物在電催化及能源轉(zhuǎn)化領(lǐng)域具有突出的應(yīng)用價值，但其制備條件極為苛刻，往往需要進(jìn)行高溫碳化獲得（碳化溫度一般大于1100K）。

機(jī)遇文獻(xiàn)鏈接：Recentadvancesinamphiphilicblockcopolymertemplatedmesoporousmetal-basedmaterials:assemblyengineeringandapplications(Chem.Soc.Rev.,2020,49,1173-1208.DOI:10.1039/C9CS00334G)【通訊作者簡介】鄧勇輝教授2000年南昌大學(xué)獲學(xué)士學(xué)位(無機(jī)化學(xué)專業(yè))。文章系統(tǒng)概述了兩親性嵌段共聚物的設(shè)計合成及軟模板導(dǎo)向組裝合成介孔金屬基材料的優(yōu)勢，做好總結(jié)并對比了目前三大類金屬前驅(qū)體（無機(jī)鹽、做好納米顆?；驁F(tuán)簇及多金屬氧酸鹽POMs）在合成介孔材料中的特點和優(yōu)勢，重點介紹了不同類型介孔金屬基材料的制備、結(jié)構(gòu)調(diào)控等方面的研究進(jìn)展，并討論了介孔金屬基材料的應(yīng)用前景及未來面臨的挑戰(zhàn)。