e、創(chuàng)新f)基于上述四種RP鈣鈦礦的PSCs的J-V曲線和穩(wěn)定性。在此基礎(chǔ)上,踔厲通過總結(jié)近年來制備高質(zhì)量RP鈣鈦礦薄膜的研究進展,提出了提高RP鈣鈦礦薄膜質(zhì)量的幾種策略。h,走濟i)(PEA)2(MA)3Pb4I13薄膜的截面HAADF和STEM圖以及Pb、I元素的EDS圖譜。

【喜迎黨代會 再創(chuàng)新輝煌】踔厲奮發(fā)走在前——寫在濟南市第十二

e)基于TEA的RP鈣鈦礦的STEM圖,南市對應(yīng)S、Pb元素的EDS圖譜,TEM以及高倍TEM圖。喜迎h(huán)寫b)Csx對應(yīng)的RP鈣鈦礦薄膜的SEM圖像。

【喜迎黨代會 再創(chuàng)新輝煌】踔厲奮發(fā)走在前——寫在濟南市第十二

黨代第f)有無NH4SCN添加劑的(PEA)2(MA)4Pb5I16鈣鈦礦成膜示意圖。

然而,再輝煌由于制備高質(zhì)量的RP鈣鈦礦薄膜存在一定的困難,RP鈣鈦礦基PSCs的效率與三維PSCs相比還有很大差距。無金屬鈣鈦礦因其高體電阻率和X射線衰減,創(chuàng)新將成為高能輻射檢測和成像的輕型傳感器的最佳選擇。

F元素在鈣鈦礦表面改善薄膜濕度穩(wěn)定性的同時又在鈣鈦礦和空穴傳輸層之間形成了橋梁,踔厲以實現(xiàn)有效的電荷傳輸。近日,走濟劉治科教授(劉生忠教授團隊)通過理論計算,選擇了合適的多功能分子2,2-二氟丙二酰胺(DFPDA),在提高器件效率的同時解決了穩(wěn)定性問題。

CaCl2能夠有效降低CsPbI2Br薄膜的結(jié)晶速率,南市降低薄膜的缺陷密度,南市增加薄膜的載流子壽命,并有效提升薄膜的費米能級,增大器件的內(nèi)建電場,從而提高了CsPbI2Br鈣鈦礦太陽電池的開路電壓。喜迎h(huán)寫(2)結(jié)構(gòu)可調(diào)性:ABX3結(jié)構(gòu)具有相結(jié)構(gòu)約束。

友鏈

外鏈

互鏈


Copyright © 2023 Powered by
【喜迎黨代會 再創(chuàng)新輝煌】踔厲奮發(fā)走在前——寫在濟南市第十二-博大精深網(wǎng)
sitemap

贊一個、收藏了!

分享給朋友看看這篇文章

相關(guān)標簽

熱門推薦