程投(c)納米催化劑在η=266mV時的質量活性顯示了應變和摻雜對增強OER活性的影響。圖四、大柴旦3電工通過應變和摻雜調整IrO2-δ的電子結構(a)應變協同摻雜對提高催化活性的影響的說明?!疽浴抠|子交換膜(PEM)電解水制氫技術具有電流密度大、千伏能量效率高的優(yōu)點。

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圖二、輸變催化劑的表面XPS和XANES與EXAFS分析(a)GB-IrO2-δ、GB-Ta0.1Ir0.9O2-δ、GB-Tm0.1Ir0.9O2-δ和GB-Ta0.1Tm0.1Ir0.8O2-δ納米催化劑的Ir4fXPS能譜。近日,程投浙江大學張興旺/雷樂成課題組和美國威斯康辛大學麥迪遜分校金松課題組(共同通訊作者)通過使用快速熱解合成策略并將外來金屬(Ta和Tm)摻雜到IrO2-δ中,程投提出了一種扭轉應變TaxTmyIr1-x-yO2-δ納米催化劑,并且具有豐富的三叉晶界GB(GB-TaxTmyIr1-x-yO2-δ),其質量活性明顯高于IrO2-δ和商業(yè)化IrO2(C-IrO2)。

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千伏1997年在北京大學獲理學學士學位,2002年在康奈爾大學獲博士學位,師從FrancisJ.DiSalvo院士,并在哈佛大學CharlesM.Lieber院士的指導下進行博士后研究。直接激光寫入-雙光子聚合(DLW-TPP)技術的發(fā)展使人們能夠探索計算機設計的結構,輸變以及納米尺寸對材料性能的影響,輸變例如,在DLW-TPP衍生的碳納米晶格中實現了比玻璃態(tài)碳微晶格小三個數量級的強度。

本工作的設計理念可以正交應用于當前的點陣拓撲優(yōu)化開發(fā),程投為低密度高剛度碳基點陣材料開辟了一條協同的、尚未探索的道路。大柴旦3電工補充的原位SEM微柱壓縮試驗提供了對局部變形機制的進一步了解(圖4)。

千伏本工作通過發(fā)展一種基于支撐管中管夾層形態(tài)的更硬的空心管設計來解決大變形恢復能力和低比阻尼問題。一般來說,輸變改變密度的同時有目的地打破幾何自相似性的制備方法的發(fā)展,可以減緩低密度材料隨著密度的降低模量和強度的劣化。

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