【圖文導(dǎo)讀】圖一、自己設(shè)備性能(由TRL（技術(shù)準(zhǔn)備水平)評(píng)估）和制造能力(由MRL（制造準(zhǔn)備水平)評(píng)估）在實(shí)驗(yàn)室和產(chǎn)業(yè)化國(guó)內(nèi)柔性電子之間的差距圖二、自己組成柔性薄膜晶體管(TFT)的主要材料類(lèi)別和候選材料的定性比較圖三、主要挑戰(zhàn)和相關(guān)研究成果的例子在柔性電子制造的四個(gè)關(guān)鍵步驟：設(shè)計(jì)、材料、加工和集成圖四、柔性電子材料制造的發(fā)展方向展望【小結(jié)】總之，柔性電子產(chǎn)品的發(fā)展已經(jīng)到了一個(gè)關(guān)鍵的地步，即向工業(yè)采用的轉(zhuǎn)化研究決定了這種材料潛力。為了縮小并最終評(píng)估這些差距，為偽造亡作者在這里分析了材料制造在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和制造的每個(gè)階段的關(guān)鍵挑戰(zhàn)-設(shè)計(jì)、材料、過(guò)程、處理和集成處理。潛在的低成本、逃稅大面積加工和易于生產(chǎn)配置給大容量制造帶來(lái)了很大的成本效益和靈活性。

在此基礎(chǔ)上，騙保作者還提出了一些可能的解決方案和新的研究方向，騙保從而得出了在促進(jìn)柔性電子產(chǎn)品大規(guī)模生產(chǎn)的五個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)：（1）標(biāo)準(zhǔn)：迫切需要測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)來(lái)公平地對(duì)比候選材料和設(shè)備。重量輕，自己形狀適應(yīng)性強(qiáng)和機(jī)械柔性，這是傳統(tǒng)基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)剛性電子所達(dá)不到的。

（5）智能制造：為偽造亡作為工業(yè)4.0的潛在貢獻(xiàn)者，柔性電子應(yīng)該通過(guò)開(kāi)發(fā)可定制的添加劑技術(shù)和不集成技術(shù)來(lái)引領(lǐng)智能制造的趨勢(shì)。

然而，逃稅學(xué)術(shù)界和工業(yè)界在設(shè)備性能和制造能力方面存在著明顯的差距自從2014年國(guó)科大成立以來(lái)勢(shì)頭不可抵擋，騙保整合了中科院的優(yōu)勢(shì)在各大榜單中突飛猛進(jìn)

ESI現(xiàn)在是衡量一個(gè)高校比較客觀而且重要的指標(biāo)，自己在雙一流建設(shè)如火如荼的關(guān)鍵時(shí)期，ESI的排名更是吸引各界人士的關(guān)注。材料人特意為您整理了材料、為偽造亡化學(xué)領(lǐng)域的期刊TOP10。

此次ESI排名中國(guó)軍團(tuán)繼續(xù)奮起直追，逃稅一路高歌，僅次于美國(guó)排名第二位。浙江大學(xué)國(guó)際排名128位，騙保入選ESI前1%學(xué)科總數(shù)18個(gè)，排名第四。