DFT計(jì)算表明，步電報(bào)純KVO和氧缺陷KVO結(jié)構(gòu)中Zn2+的擴(kuò)散勢(shì)壘分別約為1.34和0.63eV（圖5g），這說明氧缺陷的存在可以使沿ab平面的反應(yīng)動(dòng)力學(xué)更快。具體擴(kuò)散路徑如圖5h-k所示，力現(xiàn)圖5h，力現(xiàn)j中的正視圖和圖5j，k中的側(cè)視圖表明Zn2+擴(kuò)散沿其隧道結(jié)構(gòu)，可以看出，KVO中的氧缺陷可擴(kuò)大隧道結(jié)構(gòu)，從而促進(jìn)Zn2+在背面上的擴(kuò)散。因此，貨市氧缺陷的VO2（VO1.75）在100mAg-1時(shí)達(dá)到375mAhg-1的放電容量，與無缺陷VO2（在100mAg-1時(shí)為280mAhg-1）相比，容量提高了34％。

這表明當(dāng)從V6O13晶格中提取氧原子時(shí)，場(chǎng)結(jié)缺陷位置會(huì)形成有多余的電子，從而導(dǎo)致Od-VO的離域電子云增加來實(shí)現(xiàn)容量產(chǎn)生。中南大學(xué)胡久剛教授團(tuán)隊(duì)通過電紡合成了具有三維（3D）多孔結(jié)構(gòu)且富含物理/化學(xué)缺陷的氧化釩納米纖維（VCN），算運(yùn)其中物理缺陷包括孔道和洞穴，算運(yùn)化學(xué)缺陷為PAN的熱解過程中產(chǎn)生的氧空位[12]。

筆者注意到，行日新加坡國(guó)立大學(xué)薛軍民與Wee?Siang?Vincent?Lee老師團(tuán)隊(duì)[1]就缺陷工程技術(shù)如何增強(qiáng)錳基氧化物的電化學(xué)性能進(jìn)行過詳細(xì)的解釋。

通過模擬沿b隧道的Zn離子擴(kuò)散來計(jì)算VO2和VO1.75中的Zn離子擴(kuò)散能壘（圖3e），年7南方當(dāng)鋅離子通過氧空位時(shí)，年7南方VO1.75的擴(kuò)散能壘（0.71eV）比純VO2（0.78eV）低（圖3f），較低的遷移能壘將使鋅離子沿主晶格中的b隧道快速擴(kuò)散。1、月2廣技術(shù)驅(qū)動(dòng)在技術(shù)上占據(jù)制高點(diǎn)無疑是商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中的核武器，這一點(diǎn)在三星身上便可窺知一二。

這也就意味著，東起未來將有越來越多的電視廠商嘗試走出價(jià)格戰(zhàn)的泥潭，東起新的結(jié)構(gòu)革命似乎不可避免，而且很可能的結(jié)局是，要么在低端市場(chǎng)繼續(xù)掙扎以量取勝，要么圍攻中高端市場(chǎng)掠奪市場(chǎng)利潤(rùn)。誠(chéng)然，步電報(bào)單從數(shù)字上看，步電報(bào)暴風(fēng)、樂視等帶有互聯(lián)網(wǎng)標(biāo)簽的電視品牌更符合雙11的風(fēng)格，可如果考慮到電視行業(yè)深陷增量不增收的背景，TCL、海信等放棄價(jià)格戰(zhàn)轉(zhuǎn)攻高端市場(chǎng)，實(shí)則反映了電視市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)升級(jí)的趨勢(shì)。

2、力現(xiàn)服務(wù)驅(qū)動(dòng)消費(fèi)升級(jí)成為2016年的關(guān)鍵詞之一，人們購(gòu)買力的提升卻也是電視產(chǎn)品高端化發(fā)展的契機(jī)。作者簡(jiǎn)介：貨市Alter，互聯(lián)網(wǎng)觀察者，長(zhǎng)期致力于對(duì)智能硬件、云計(jì)算、VR等行業(yè)的觀察研究。