石墨烯和碳納米管（CNT）具有均勻的sp2雜化碳骨架結(jié)構(gòu)，料汽為研究SACs的結(jié)構(gòu)-功能關(guān)系提供了理想的模型基底。密度泛函理論和X射線吸收光譜表明，車行合理的基底應(yīng)變可以優(yōu)化變形，其中Cu與O結(jié)合牢固，同時(shí)保持與C/N原子的緊密配位。動(dòng)規(guī)全面了解單原子活性位點(diǎn)的催化行為和結(jié)構(gòu)功能關(guān)系是合理設(shè)計(jì)和構(gòu)建高效SACs的前提。

對于RuN4?SACs催化的析氧反應(yīng)，劃正觀察到額外的O吸附誘導(dǎo)活性位點(diǎn)的原位重建，形成的O-RuN4基團(tuán)大大提高了活性。最好的CuN2C2位點(diǎn)位于直徑為8nm的碳納米管上，規(guī)劃相對于石墨烯，其活性提高了6倍。

座加b）動(dòng)力學(xué)電流密度曲線。

全文氫燃?xì)湔綿）三種模型在ORR不同階段CuN2C2活性位點(diǎn)的幾何描述符θ（插圖：用于幾何分析的模型圖示）。丨江（d）基于零維MA4PbBr6和三維MAPbBr3的器件在恒定光照和65%濕度下的穩(wěn)定性比較。

蘇省式（g）說明Cs2InB5·H2O中PL來源的構(gòu)型坐標(biāo)圖。料汽（c）平面和介孔器件結(jié)構(gòu)中(CH3NH3)3Bi2I9基器件的J-V曲線。

圖十二、車行零維鈣鈦礦在其他領(lǐng)域的應(yīng)用（a）基于薄膜結(jié)構(gòu)的LSC示意圖（上），車行以及LSC在環(huán)境（左下）和一個(gè)太陽光強(qiáng)（100mWcm-2）照射下的照片（右下）。動(dòng)規(guī)（g）KBr混合零維/三維鈣鈦礦LED的器件結(jié)構(gòu)。