圖5在涂有聚合物薄膜的4英寸硅晶片上液滴的光學(xué)照片?圖6所得聚合物薄膜的化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度試驗(yàn)?a-c)在室溫下,易討易聚合物薄膜分別浸泡在強(qiáng)酸,易討易強(qiáng)堿和高濃度NaCl溶液中96小時。然而,薪更制造這種具有特定表面形貌的超雙疏材料相當(dāng)耗時,通常涉及昂貴的光刻工具或復(fù)雜的化學(xué)過程。它們不僅具有優(yōu)異的液體排斥性能和自清潔性能,普法而且具有高透明度和良好的耐物理磨損、抗強(qiáng)酸/強(qiáng)堿和濃鹽溶液的特性。

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g)水(藍(lán)色),簽訂乙二醇(黃色),礦物油(紅色)和橄欖油(綠色)液滴在聚合物薄膜表面上的形狀照片。歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對文獻(xiàn)進(jìn)行深入解讀,合同活容投稿郵箱[email protected]。

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易討易圖7聚合物薄膜的柔韌性?a)反復(fù)循環(huán)彎曲和恢復(fù)的聚合物薄膜的水接觸角的變化。

文獻(xiàn)鏈接:薪更Large-AreaPreparationofRobustandTransparentSuperomniphobicPolymerFilms(ACSNano,薪更2018,DOI:10.1021/acsnano.8b05600)本文由材料人學(xué)術(shù)組鍵仔供稿,材料牛整理編輯。普法(e)B摻雜g-C3N4/SnS2的頂視圖。

簽訂本文由材料人編輯部張金洋編譯整理。與g-C3N4、合同活容B摻雜g-C3N4和SnS2相比,g-C3N4/SnS2和B摻雜g-C3N4/SnS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)的帶隙較小。

Z-schemeB摻雜g-C3N4/SnS2的速率步驟的ΔG遠(yuǎn)低于g-C3N4/SnS2的ΔG,易討易表明Z-schemeB-摻雜g-C3N4/SnS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)是更高效的光催化劑。g-C3N4/SnS2和B摻雜g-C3N4/SnS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)的功函數(shù)和電荷密度差異,薪更表明其電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制是Z-scheme電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制。

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