這些外延生長(zhǎng)方法通過控制擴(kuò)展缺陷的密度,博海如螺紋位錯(cuò)和堆積缺陷,使得多種復(fù)合半導(dǎo)體可以在晶格不匹配的襯底上生長(zhǎng)。隨后,拾貝對(duì)替代計(jì)算架構(gòu)、電路、設(shè)備和材料的需求激增,以提高計(jì)算系統(tǒng)的計(jì)算性能和能源效率。范德瓦爾斯外延技術(shù)是一種二維材料輔助外延技術(shù),日本近年來因其晶格失配大于60%的異質(zhì)外延薄膜生長(zhǎng)的可能性而受到人們的關(guān)注。

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[9]因此,博海后續(xù)的外延必須經(jīng)過化學(xué)和機(jī)械拋光。雖然采用先進(jìn)的外延技術(shù)的單片集成是耦合不同材料的最簡(jiǎn)單方法,拾貝但異質(zhì)外延生長(zhǎng)的外延薄膜的材料質(zhì)量仍然不理想。

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日本vdWE最初是由Koma等人發(fā)現(xiàn)的。

盡管如此,博海在過去的幾年里,博海高能帶隙材料在量子計(jì)算、電力電子和高效激光等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越受到關(guān)注,這可能會(huì)使高能帶隙電子和光電子在單一平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)垂直集成。拾貝?聯(lián)系我們聯(lián)系電話:010-82810279業(yè)務(wù)咨詢請(qǐng)聯(lián)系:微信iceshigu或QQ3419043216。

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