(D-E)對(duì)照組和PPP改進(jìn)的無(wú)電極PSCs器件在75°C和全譜太陽(yáng)光照下、入落N(xiāo)2氣氛中熱老化300h前后的ToF-SIMS深度曲線(xiàn)。地關(guān)達(dá)萬(wàn)(B)對(duì)照組和PPP改進(jìn)器件的正向和反向掃描中獲得的J-V曲線(xiàn)。鍵窗很少有研究者通過(guò)具有多個(gè)分支和每個(gè)分支上有多個(gè)官能團(tuán)的三維(3D)聚合物直接鈍化鈣鈦礦薄膜。

工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)步入落地關(guān)鍵窗口期 2020年市場(chǎng)規(guī)模或達(dá)萬(wàn)億

【成果簡(jiǎn)介】近日,口期西北工業(yè)大學(xué)李炫華教授和瑞士洛桑聯(lián)邦理工大學(xué)MichaelGr?tzel教授(共同通訊作者)等人報(bào)道了一種3D星形多面體低聚倍半硅氧烷-聚甲基丙烯酸三氟乙酯-b-聚甲基丙烯酸甲酯(PPP)聚合物作為調(diào)節(jié)鈣鈦礦薄膜結(jié)晶的新型調(diào)節(jié)劑。在大氣環(huán)境下(40%RH、年市25℃)暴露6000h后,非封裝改性器件顯示出顯著增強(qiáng)的環(huán)境穩(wěn)定性,保持超過(guò)93%的初始效率。

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場(chǎng)規(guī)(C)1/C2與控制和PPP改進(jìn)PSCs中施加的電壓圖(Mott-Schottky)。

圖五、?;蚍€(wěn)定性(A)非封裝對(duì)照組器件和PPP改進(jìn)器件的空氣穩(wěn)定性。【成果簡(jiǎn)介】近日,工業(yè)美國(guó)康奈爾大學(xué)陳鵬教授(通訊作者)等人報(bào)道了利用具有超分辨率的COMPetition-Enabled成像技術(shù)(COMPEITS),工業(yè)能夠以納米分辨率原位成像非熒光表面過(guò)程,從而繪制了在環(huán)境溶液條件下,小分子/離子和聚合物配體在各種形態(tài)金(Au)納米顆粒上的吸附圖。

(f-h)具有不同抗衡陰離子、互聯(lián)分子量的PVP和無(wú)協(xié)同性的配體的CTA+的粒子平均吸附平衡常數(shù)K和希爾系數(shù)h。圖三、網(wǎng)步Au納米棒上吸附親和力和協(xié)同性的亞顆粒變化(a-c)COMPEITS和SEM圖像如圖2a-d所示,但對(duì)于A(yíng)u納米棒(102nm2/像素),1D投影是針對(duì)整個(gè)納米棒。

入落(b-c)藍(lán)色/紅色區(qū)域的一維(1D)投影。地關(guān)達(dá)萬(wàn)(g-h)CTAB和PVP55k的亞粒子h與K相關(guān)性。

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