c）基于13PXZB:B4PyMPM、變電13PXZB:B3PyMPM和13PXZB:B2PyMPM的重量比為7：3的OLEDs的EL光譜。由于其分子間的電荷轉(zhuǎn)移躍遷在供電子和受電子分子（D和A）間形成，設(shè)加激基復(fù)合物的最高占據(jù)分子軌道（HOMO）和最低未占據(jù)分子軌道（LUMO）分別位于D和A分子上。圖三、快推在固態(tài)薄膜中三種激基復(fù)合物及其構(gòu)成材料的FT-IR光譜a）具有不同重量比（8:2、7:3和5:5）的13PXZB:B4PyMPM及其構(gòu)成成分，波數(shù)為2900-3150cm-1。

文中，閩南作者構(gòu)造了13PXZB:B4PyMPM、13PXZB:B3PyMPM和13PXZB:B2PyMPM三種激基復(fù)合物發(fā)光體。其中，座特站建具有分子間HBs最多的13PXZB:B4PyMPM，座特站建顯示出的光致發(fā)光量子產(chǎn)率（ΦPL）最高達(dá)到69.6％和最低的三重態(tài)激子非輻射過(guò)程速率常數(shù)（knrT）為3.4×105S-1）。

圖五、高壓計(jì)算的分子間HBs的分子結(jié)構(gòu)a）B4PyMPM和B4PyMPM。

圖六、變電基于三種激基復(fù)合物構(gòu)成OLEDs的性能a）電流密度-亮度-電壓特性。在平面型鈣鈦礦電池和柔性鈣鈦礦太陽(yáng)電池方面，設(shè)加均先后幾次報(bào)道了領(lǐng)域最高效率，設(shè)加特別是采用獨(dú)特的界面修飾方法和雙源共蒸法，平面異質(zhì)結(jié)電池效率超過(guò)了20%。

（C，快推D）加熱時(shí)，在1MHz處，化合物1和化合物2晶體樣品的a，b和c軸上介電常數(shù)與溫度的關(guān)系。然而，閩南Cs3Bi2I9的結(jié)構(gòu)為缺陷型鈣鈦礦，這種材料在低溫溶液中一旦達(dá)到臨界點(diǎn)，極易成核，存在優(yōu)勢(shì)晶核的條件下，也會(huì)繼續(xù)大量成核，難以控制。

電化學(xué)測(cè)試驗(yàn)證了基于Pt-C4助催化劑的樣品具有較低分解水產(chǎn)氫過(guò)電位以及載流子界面遷移勢(shì)壘，座特站建DFT進(jìn)一步得出質(zhì)子吸附在該單原子位點(diǎn)上快速的電子遷移能力，座特站建該工作為制備高效光催化劑體系提供一個(gè)新策略。（B）不同頻率下，高壓復(fù)介電常數(shù)實(shí)部（?）的溫度依賴(lài)性。