SAOE是一種余輝時(shí)間可達(dá)60h的長余輝材料，保護(hù)該體系的力致發(fā)光材料已被開發(fā)實(shí)現(xiàn)應(yīng)力的2D或3D傳感，保護(hù)而該材料的余輝發(fā)光勢(shì)必會(huì)成為一種噪音對(duì)應(yīng)力激發(fā)的發(fā)光信號(hào)產(chǎn)生干擾，且其需要激勵(lì)光源、重復(fù)性較差、應(yīng)力檢測精度有限。此外，線智慧載流子的釋放被認(rèn)為與材料的壓電性有關(guān)。更嚴(yán)峻的問題在于，山東上線可達(dá)應(yīng)用水平的高性能材料十分匱乏，且各自存在著不可忽視的性能短板。

力致發(fā)光本身就涉及多學(xué)科的高度交叉，電網(wǎng)宏觀壓電、電網(wǎng)表面壓電、繞曲電、鐵彈性和鐵磁性中等基于疇?wèi)B(tài)的運(yùn)動(dòng)、相變對(duì)化合物的彈性性能、電子性能和ML性能的影響等力、光、電、磁耦合特性的也許將是未來的研究方向。迄今為止，繼電包括聚二甲基硅氧烷、繼電環(huán)氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氨酯、聚苯乙烯、PVDF、聚氯乙烯、硅酮、水凝膠在內(nèi)的各類聚合物已被用作ML復(fù)合材料的基質(zhì)。

但當(dāng)復(fù)合膜傳導(dǎo)應(yīng)力至ML顆粒時(shí)，保護(hù)將變成擠壓釋放、摩擦、彎折等動(dòng)態(tài)的綜合作用。

目前，線智慧大量力致發(fā)光材料的開發(fā)雖然具有一定的規(guī)律可循，但主要還是停留在實(shí)驗(yàn)試錯(cuò)階段，這是由于對(duì)ML現(xiàn)象背后機(jī)制的了解還相當(dāng)有限。近(2n,n)成分與其他手性層的耦合帶來的協(xié)同進(jìn)化，山東上線將賦予其更大的動(dòng)力學(xué)穩(wěn)定性。

本研究中通過碳源的微小調(diào)整產(chǎn)生了明顯生長結(jié)果差異（手性、電網(wǎng)直徑等參數(shù)分布情況），電網(wǎng)證明了環(huán)境因素對(duì)進(jìn)化生長的影響，全面深入地闡釋了碳納米管的進(jìn)化生長機(jī)理。并且，繼電缺陷CNTs(d-CNTs)、金屬CNTs(m-CNTs)和半導(dǎo)體CNTs(s-CNTs)的數(shù)量均隨長度呈指數(shù)衰減，但衰減速率差異極大。

在CNT生長過程中，保護(hù)總CNTs的數(shù)量隨著長度的增加而減少，如圖1a所示。而TWNTs的劣勢(shì)在于更復(fù)雜的多層壁導(dǎo)致了過度的壁間相互作用，線智慧這將對(duì)協(xié)同進(jìn)化產(chǎn)生不利影響。