同時(shí),總站作者還在圖2a中通過(guò)DFT計(jì)算比較了不同Se空位濃度的單層β/β′相的基態(tài)能量。?2022Nat.Nanotechnol.????圖3a,售賣b中作者以這些二維半導(dǎo)體作為通道設(shè)計(jì)了FE-FET。圖4j展示了通過(guò)柵極電壓控制對(duì)α-β′結(jié)器件進(jìn)行的NVM保留測(cè)試,客票它顯示了超過(guò)22,000秒的長(zhǎng)保留時(shí)間和6000次循環(huán)的顯著耐久性。

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