系統(tǒng)4.【數(shù)據(jù)概覽】圖1.CsV3Sb5中壓力相關(guān)的超導(dǎo)演變和CDW狀態(tài)。安全(e)不同壓力下真實(shí)空間電子態(tài)的示意圖。防護(hù)3.【核心創(chuàng)新點(diǎn)】通過(guò)51VNMR證明了CsV3Sb5中CDW和超導(dǎo)性隨壓力的演變。

《電力人工智能系統(tǒng)安全防護(hù)技術(shù)規(guī)范》征求意見(jiàn)稿

技術(shù)1.【導(dǎo)讀】Kagome超導(dǎo)體AV3Sb5(A表示K,Rb,Cs)中多種電子序的發(fā)現(xiàn)為探索新興物理提供了新的平臺(tái)。?2022SpringerNature(a)電子-聲子,規(guī)范稿電子-電子和幾何阻挫的相互作用示意圖。

《電力人工智能系統(tǒng)安全防護(hù)技術(shù)規(guī)范》征求意見(jiàn)稿

在中等壓力(2.2GPa)下,電力三Q電荷密度波(CDW)向列序被壓力單調(diào)抑制,電力而超導(dǎo)性則表現(xiàn)出雙圓頂狀行為,表明超導(dǎo)性與CDW序之間存在不尋常的相互作用,理解CDW序及其與超導(dǎo)的相互作用成為研究AV3Sb5的核心問(wèn)題之一。

人工(b)先前研究得到的壓力相關(guān)電子相圖。智能征求(a)APCVD法生長(zhǎng)示意圖。

4.生長(zhǎng)過(guò)程中氧化的規(guī)避為了避免硼氧化,系統(tǒng)需要在生長(zhǎng)過(guò)程中就開(kāi)始設(shè)計(jì)。DFT計(jì)算圍繞B逐漸裂解、安全與O鍵合的反應(yīng)展開(kāi),比較真空與金屬基底上的反應(yīng)焓可發(fā)現(xiàn),Cu的引入使氧化反應(yīng)的ΔH大幅降低,使氧化容易自發(fā)進(jìn)行。

【研究背景】單質(zhì)硼的外層三電子特性產(chǎn)生了豐富的體相結(jié)構(gòu)與平面二維結(jié)構(gòu),防護(hù)其中平面結(jié)構(gòu)的二維硼(也稱(chēng)硼烯,即borophene),防護(hù)是目前報(bào)道的質(zhì)量最輕、厚度最薄的二維金屬,在力學(xué)上是集堅(jiān)、柔、韌于一體的納米材料。(f-g)真空與金屬表面硼氧化的反應(yīng)示意圖與DFT計(jì)算結(jié)果,技術(shù)說(shuō)明Cu可以使氧化反應(yīng)的ΔH大幅降低。

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