XANES?X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)(XANES)又稱近邊X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(NEXAFS),現(xiàn)規(guī)是吸收光譜的一種類型。散射角的大小與樣品的密度、?;穸认嚓P(guān),因此可以形成明暗不同的影像,影像將在放大、聚焦后在成像器件上顯示出來。近日,Ceder課題組在新型富鋰材料正極的研究中(Nature2018,556,185-190)取得了重要成果,可再如圖五所示。

我國(guó)可再生能源初步實(shí)現(xiàn)規(guī)模化

該研究工作利用了XANES等技術(shù)分析了富含缺陷的四氧化三鈷的化學(xué)環(huán)境,源初從而證明了其中氧缺陷的存在及其相對(duì)含量。在X射線吸收譜中,步實(shí)閾值之上60eV以內(nèi)的低能區(qū)的譜出現(xiàn)強(qiáng)的吸收特性,稱之為近邊吸收結(jié)構(gòu)(XANES)。

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<p>此外,現(xiàn)規(guī)越來越多的研究工作開始涉及了使用XAS等需要使用同步輻射技術(shù)的表征,而搶占有限的同步輻射光源資源更顯得尤為重要。</p>
<p>通過在充放電過程中小分子蒽醌與可溶性多硫化鋰發(fā)生化學(xué)性吸附,?;纬蔁o法溶解于電解液的不溶性產(chǎn)物,模化從而實(shí)現(xiàn)對(duì)活性物質(zhì)流失的有效抑制,顯著地增加了電池的壽命。【圖文解讀】圖一、可再PtTe2薄膜的結(jié)構(gòu)(a)將大型Pt薄膜轉(zhuǎn)化為PtTe2薄膜的CVD工藝示意圖。</p>
<p>源初(b)ξSOT的厚度依賴性和自旋霍爾電導(dǎo)率σs。步實(shí)(b-c)PtTe2(5)/Py(2.5)和PtTe2(5)/Py(10)的典型Vmix和相應(yīng)的洛倫茲擬合。</p>
<p>目前,現(xiàn)規(guī)PtTe2在金屬TMD中具有最高的室溫電導(dǎo)率(約3.3×106Sm-1),同時(shí)PtTe2被歸類為II-型Dirac半金屬,可以產(chǎn)生具有自旋動(dòng)量鎖定的拓?fù)浔砻鏍顟B(tài)(TSSs)?!境晒?jiǎn)介】基于此,?;袊?guó)科學(xué)院物理研究所的于國(guó)強(qiáng)特聘研究員(通訊作者)團(tuán)隊(duì)報(bào)道了一種簡(jiǎn)單的方法來合成可用于SOT設(shè)備的高質(zhì)量且可大面積制備的PtTe2薄膜。</p></p></div>
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