近日，京津王海良課題組利用XANES等先進(jìn)表征技術(shù)研究富含缺陷的單晶超薄四氧化三鈷納米片及其電化學(xué)性能（Adv.EnergyMater.2018,8,1701694）,如圖一所示。唐電Fig.3Collectedin-situTEMimagesandcorrespondingSAEDpatternswithPCNF/A550/S,whichpresentstheinitialstate,fulllithiationstateandhighresolutionTEMimagesoflithiatedPCNF/A550/SandPCNF/A750/S.材料物理化學(xué)表征UV-visUV-visspectroscopy全稱為紫外-可見光吸收光譜。這些條件的存在幫助降低了表面能，網(wǎng)綠使材料具有良好的穩(wěn)定性。

目前材料研究及表征手段可謂是五花八門，色電在此小編僅僅總結(jié)了部分常見的鋰電等儲能材料的機(jī)理研究方法。該研究工作利用了XANES等技術(shù)分析了富含缺陷的四氧化三鈷的化學(xué)環(huán)境，力交從而證明了其中氧缺陷的存在及其相對含量。

易全該項(xiàng)研究也為高性能富錳正極拓寬了其在電池領(lǐng)域的新的應(yīng)用。

因此，面啟原位XRD表征技術(shù)的引入，可提升我們對電極材料儲能機(jī)制的理解，并將快速推動高性能儲能器件的發(fā)展。電負(fù)性最強(qiáng)的O原子首先與鋰離子結(jié)合，國網(wǎng)而對于苯環(huán)與其相鄰的C=N基團(tuán)之間的共軛體系，國網(wǎng)吸電子的N基團(tuán)更有利于與金屬離子結(jié)合，導(dǎo)致鋰優(yōu)先插入C=N基團(tuán)而不是苯環(huán)中。

因此，華北以下步驟(II-VII)可以大致歸因于C=N基團(tuán)和苯環(huán)上的漸進(jìn)鋰存儲，華北6個鋰存儲(步驟二)，16個鋰存儲(步驟三)，8個鋰存儲(步驟四)，8個鋰存儲(步驟五)，在1.18~0.86、0.86~0.21、0.21~0.09、0.09~0.043、0.043~0.01V電壓窗內(nèi)，分別出現(xiàn)了6個鋰存儲(步驟VI+VII)，符合52個鋰存儲機(jī)制。最終計(jì)算出PMDA-NiPc在600次循環(huán)后可以實(shí)現(xiàn)1861mAhg?1的非常大的可逆容量貢獻(xiàn)，分部比石墨的可逆容量高5倍。

因此，京津PMDA-NiPc在復(fù)合材料中的容量貢獻(xiàn)可以通過PMDA-NiPc與石墨烯的重量比來計(jì)算。在第274圈、唐電177圈、唐電第20圈循環(huán)中，PMDA-NiPc中C=N基團(tuán)上的儲鋰容量貢獻(xiàn)分別為253、185、87mAh/g，分別相當(dāng)于C=N基團(tuán)上完整六個鋰離子存儲容量的約95.2%、69.6%、約32.7%。