三維集成技術(shù)在垂直方向上依靠微凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)堆疊芯片能夠有效縮短芯片間互連間距，幸答卷由此建立了基于先進(jìn)封裝延續(xù)摩爾定律的新方向。高密度的芯片三維集成依賴于細(xì)節(jié)距的垂直互連結(jié)構(gòu)，福河發(fā)展基于Cu/SiO2混合鍵合技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)多層芯片的超高密度鍵合，福河發(fā)展是目前基于馮·諾依曼架構(gòu)下縮短片間互連，提升算力與帶寬，降低延遲與功耗的關(guān)鍵技術(shù)。同樣，勇挑揚(yáng)起對于SiO2表面，勇挑揚(yáng)起其未經(jīng)活化的表面由Si-O和Si-O-Si結(jié)構(gòu)交替構(gòu)成，活化后表面Si-O-Si鍵密度增加的同時(shí)表面新形成了-NH2官能團(tuán)，與表面能變化結(jié)果相吻合，證實(shí)了混合表面在經(jīng)過兩步協(xié)同活化后均成功構(gòu)建了親水性官能團(tuán)，即表面實(shí)現(xiàn)共親水化。

核心降低鍵合溫度的本質(zhì)在于控制Cu和SiO2表面化學(xué)狀態(tài)。【通訊作者介紹】王晨曦，書寫時(shí)代哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師，IEEESeniormember。

【第一作者介紹】康秋實(shí)，造福之擔(dān)哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院博士研究生，本碩博均就讀于哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料學(xué)院。

然而，人民Cu-Cu和SiO2-SiO2低溫鍵合所需的理想表面狀態(tài)難以兼容（如無氧化的Cu表面和親水的SiO2表面），人民因此難以通過單一的活化方法直接實(shí)現(xiàn)低溫混合鍵合。幸答卷(f)PD的水下Iphoto-t循環(huán)測試。

海底無線通信作為海洋研究的重要手段，福河發(fā)展不僅在海洋勘探領(lǐng)域，而且在軍事領(lǐng)域都發(fā)揮著重要的作用。勇挑揚(yáng)起(c)?不同光功率密度下458nmLED照射PD的Iphoto-t曲線。

提出在CuNWs表面包裹Ga金屬，核心并經(jīng)過高溫氮化工藝而形成高質(zhì)量的GaN殼層的納米材料技術(shù)，核心同時(shí)利用Cu原子向GaN層徑向擴(kuò)散機(jī)制，構(gòu)造了Cu/GaN界面徑向肖特基結(jié)結(jié)構(gòu)。書寫時(shí)代圖2.(a)沉積Au電極之后納米線網(wǎng)絡(luò)的OM圖像。