革華通過(guò)密度泛函理論計(jì)算揭示了N和Ni摻雜劑的協(xié)同效應(yīng)。N的存在促進(jìn)了Ni在石墨烯表面上的錨定,為思位并且Ni和N的共摻雜顯著改善了在堿性溶液中OER和ORR的催化活性?!緢D文導(dǎo)讀】圖一、科爭(zhēng)共摻雜np-石墨烯形貌表征(a,b)N摻雜石墨烯/多孔Ni(a)和共摻雜np-石墨烯(b)的SEM圖像。

華三事件風(fēng)波引變革:華為思科爭(zhēng)搶老大地位

搶老(b)電池的極化和功率密度曲線。大地相關(guān)研究成果以MetalandNonmetalCodoped3DNanoporousGrapheneforEffcientBifunctionalElectrocatalysisandRechargeableZn–AirBatteries為題發(fā)表在Adv.Mater上。

華三事件風(fēng)波引變革:華為思科爭(zhēng)搶老大地位

最近的研究表明碳納米材料,事件如碳納米管,多孔碳,氮化碳,N摻雜石墨烯,因其材料成本低,是ORR中代替Pt有效的非金屬替代品。

歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對(duì)文獻(xiàn)進(jìn)行深入解讀,風(fēng)波投稿郵箱[email protected]。此外,引變MicroLED的體積約為目前主流LED大小的1%,引變且應(yīng)用范圍非常廣闊,可應(yīng)用小至手環(huán)和手表等可穿戴設(shè)備,大至商用廣告牌和公共顯示屏,甚至VR或者VR設(shè)備等的,并且表現(xiàn)比傳統(tǒng)的液晶面板甚至OLED都更好一些。

此外,革華MicroLED中使用的RGB器件是無(wú)機(jī)材料,因此沒(méi)有老化和燒屏問(wèn)題,并且可以帶來(lái)10萬(wàn)小時(shí)以上的穩(wěn)定高亮度和畫質(zhì)。經(jīng)查詢發(fā)現(xiàn),為思位MicroLED相比于LCD可以實(shí)現(xiàn)更高的亮度、色彩飽和度、色彩還原力、響應(yīng)速度等,而且是自發(fā)光,因此更省電。

10月17日消息,科爭(zhēng)三星電子發(fā)布了一段視頻,介紹了他們對(duì)于MicroLED的規(guī)劃,并向用戶展示了MicroLED的開發(fā)過(guò)程及其背后的工藝。相比OLED,搶老MicroLED的亮度也要更高一些,而且壽命也會(huì)更長(zhǎng),性能更加穩(wěn)定,亮度和色彩飽和度更高,響應(yīng)速度也更快。

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