如圖2d所示,達濟當(dāng)β-InSe被加熱到450℃時,SAED圖案開始表現(xiàn)出微弱的衛(wèi)星點,與室溫下β-InSe的初始狀態(tài)不同。一、南濟南中【導(dǎo)讀】????In2Se3作為二維(2D)鐵電場效應(yīng)晶體管(FE-FET)對于下一代內(nèi)存計算很有吸引力。中心層中Se原子的移動在α相中產(chǎn)生了面外和面內(nèi)鐵電性,歐班在β′相中產(chǎn)生了面內(nèi)極化。

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制備的異相結(jié)器件,行突具有更寬的磁滯窗口并提高了NVM特性。同時,進博計開作者通過原位拉曼光譜和DFT計算驗證了應(yīng)變弛豫的β′→α相變機制。

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品專破圖4.相位可控的大面積二維In2Se3和鐵電異相結(jié)。

列抵列累0列其工作機制是基于類似于單相場效應(yīng)管的通斷開關(guān)。達濟?2022Wiley05【成果啟示】本工作使用快速和穩(wěn)定的環(huán)戊二烯馬來酰亞胺逐步增長聚合建立了用于機械取向液晶網(wǎng)絡(luò)的受控兩階段聚合的保護-去保護方法。

?2022Wiley圖二、南濟南中a)用于逐步增長DA聚合的帶有馬來酰亞胺和環(huán)戊二烯部分的雙官能單體。?2022Wiley圖五、歐班熱驅(qū)動前a)和熱驅(qū)動后b)的LCN圖像。

同時,行突作者通過DSC、DMA、POM和WAXD對薄膜進行了全面的表征,證明了具有熱機械驅(qū)動能力的單軸取向液晶網(wǎng)絡(luò)的成功合成。進博計開圖中顯示了第一次和第二次聚合后的薄膜以及該過程的卡通圖像

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