理用四川大學(xué)專職博士后陳瀟洋博士為本文的第一作者。長期以來，戶到戶均該技術(shù)并沒有得到較大發(fā)展。通過使用該死層，價情可以將Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3(BSZT)無鉛薄膜的擊穿電場由5.4MV/cm提升至6.3MV/cm，其儲能密度由64.9J/cm3提升至89.4J/cm3（如圖1所示）。

成果簡介近日廣西大學(xué)納米能源研究中心的彭彪林教授（通訊作者）與四川大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院的余萍教授（通訊作者）、浙江中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所的王中林院士（通訊作者）、浙江西班牙巴斯克材料研究中心的張奇教授等進行合作，從死層的電學(xué)性質(zhì)和能帶結(jié)構(gòu)兩方面進行了系統(tǒng)的深入探究，提出高阻層（死層）在電學(xué)性質(zhì)上應(yīng)具備高線性介電、高絕緣的特性，在能帶結(jié)構(gòu)上應(yīng)具備電子注入勢壘高的特性，并首次提出使用Ca0.2Zr0.8O1.8作為新型的人造死層。月售目前所報道直接生長在硅基底上的無鉛介電薄膜無論在儲能密度還是在儲能效率等方面仍然無法與生長在STO等單晶襯底上的無鉛介電薄膜一較高低。

同時，司代薄膜的溫度穩(wěn)定性和疲勞特性也得到了顯著的提升。

前言目前無鉛介電薄膜在儲能密度上獲得了非常大的進展，理用所報道的儲能密度值（~86至166J/cm3）已高于鉛基薄膜所報道的最高值（~85J/cm3）。戶到戶均2016廣州國際音響唱片展于18日至20日在廣州東方賓館與中國大酒店舉行。

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