在為LIBs探尋新興負極材料中,辛苦硅(Si)被認為是最有希望替代石墨的候選材料。SiO2/Ni分級空心球在100mAg-1時經過50次循環(huán)后具有672mAhg-1的高比容量,博海并且在10Ag-1下1000次循環(huán)后顯示出337mAhg-1。例如,拾貝Zhou和Mai等人通過還原構建了具有分級空心結構的新型SiO2/Ni納米復合材料。

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馬總Figure2.(a)制備d-SiO的示意圖。最近的研究發(fā)現硅氧化物是有希望的替代單質硅,辛苦因為它具有極其豐富的儲備、較低成本且易于合成。

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而通過在電極中引入犧牲劑或NaCl,博??梢院芎玫乜刂齐姌O的孔隙率并且增加電極的面積容量。

因為多孔結構不僅為鋰化時鋰的體積膨脹提供了自由空間,拾貝而且還能夠快速Li+擴散,可以增強循環(huán)穩(wěn)定性和倍率性能。此外,馬總金字塔特征裝置的VOC幾乎是平面裝置的四倍。

6、辛苦TENG驅動的靜電操縱器靜電場引起的庫侖力是最直接的電響應效應,庫侖力是宏觀/微觀物體的理想驅動力。圖15a,博海b是TENG和納電噴霧電離發(fā)射器的耦合,接觸分離模式(圖15a)和獨立模式(圖15b)的TENG,可以產生單極性和交替極性電荷脈沖。

拾貝等離子由旋轉TENG設計和供電。馬總圖14b是施加不同電壓的FED電流密度。

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