【小結(jié)】在某些情況下,改變摻雜自由載流子的存在會(huì)改變固體晶格結(jié)構(gòu)及對(duì)稱性,或者產(chǎn)生自陷晶格極化子,或者形成局部電荷補(bǔ)償中心。圖3鎳氧化物SmNiO3中的反摻雜現(xiàn)象(a)(b)(c)SmNiO3的態(tài)密度,博海其中(a)未摻雜(b)0.5e/Ni摻雜(c)1e/Ni摻雜,箭頭表示中間帶的一部分在電子摻雜時(shí)被價(jià)帶吞并。另外,拾貝生活在鋰電池陽極材料LiFeSiO4,LiIrO3以及過渡金屬氧化物SmNiO3,SrCoO2.5等材料中存在摻雜范圍廣,帶隙變化大的反摻雜效應(yīng)。

[博海拾貝0614]科技改變生活

以電子摻雜某些氧化物為例,科技研究發(fā)現(xiàn),具有反摻雜效應(yīng)的材料在不考慮雜化效應(yīng)的高對(duì)稱結(jié)構(gòu)下具有半填充能帶,應(yīng)為金屬。在這里,改變作者指出,就像鋰離子化合物,或具有金屬空位的MgO一樣,電子反摻雜是一種相當(dāng)普遍的效應(yīng),與關(guān)聯(lián)效應(yīng)無顯著關(guān)系。

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博?!緢D文簡(jiǎn)介】圖1電子反摻雜和空穴反摻雜示意圖(a)電子反摻雜和(b)空穴反摻雜示意圖。

拾貝生活該成果近日以AntidopinginInsulatorsandSemiconductorsHavingIntermediateBandswithTrappedCarriers為題發(fā)表在期刊PhysicalReviewLetter上。WTe2中的非線性磁阻具有較大的各向異性,科技這是由于其費(fèi)米面的低對(duì)稱性所造成的。

為了進(jìn)一步探索WTe2中自旋極化帶的分支,改變以及它們與結(jié)構(gòu)豐富的費(fèi)米表面的相互作用,作者詳細(xì)研究了自旋相關(guān)的非線性磁轉(zhuǎn)運(yùn)。這些結(jié)果還表明,博海費(fèi)米能級(jí)的微調(diào)對(duì)于控制半金屬中的非線性磁輸運(yùn)是至關(guān)重要的。

此外,拾貝生活作者確定NLMR的反轉(zhuǎn)源于費(fèi)米輪廓從凸面到凹面的轉(zhuǎn)變,而巨大的各向異性是由于費(fèi)米面的低對(duì)稱性。雖然對(duì)費(fèi)米表面的理解對(duì)于探索和解釋許多物理現(xiàn)象(例如振蕩交換耦合或超導(dǎo)性)是至關(guān)重要的,科技但目前對(duì)他的研究還是很有限的。

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