10月17日消息，推出三星電子發(fā)布了一段視頻，介紹了他們對于MicroLED的規(guī)劃，并向用戶展示了MicroLED的開發(fā)過程及其背后的工藝。此外，款電他們還在考慮將MicroLED的應(yīng)用擴(kuò)展到小型顯示屏，如廣告標(biāo)牌和智能手表等。此外，應(yīng)裙MicroLED的體積約為目前主流LED大小的1%，應(yīng)裙且應(yīng)用范圍非常廣闊，可應(yīng)用小至手環(huán)和手表等可穿戴設(shè)備，大至商用廣告牌和公共顯示屏，甚至VR或者VR設(shè)備等的，并且表現(xiàn)比傳統(tǒng)的液晶面板甚至OLED都更好一些。

MicroLED是一種自發(fā)光顯示技術(shù)，推出采用微米（μm）級(jí)、比頭發(fā)還細(xì)的超小型LED元器件，無需背光或?yàn)V色片即可實(shí)現(xiàn)發(fā)光以及著色。相比OLED，款電MicroLED的亮度也要更高一些，而且壽命也會(huì)更長，性能更加穩(wěn)定，亮度和色彩飽和度更高，響應(yīng)速度也更快。

為順應(yīng)超大顯示屏的市場趨勢，應(yīng)裙該公司還計(jì)劃將其產(chǎn)品陣容擴(kuò)大到76英寸、89英寸、101英寸和114英寸等。

此外，推出MicroLED中使用的RGB器件是無機(jī)材料，因此沒有老化和燒屏問題，并且可以帶來10萬小時(shí)以上的穩(wěn)定高亮度和畫質(zhì)?？铍妶D3b顯示了圖3a中標(biāo)記的幾個(gè)發(fā)射缺陷位置的缺陷定位。

圖3c顯示了超過10?min獲得的PL強(qiáng)度軌跡，應(yīng)裙揭示了圖3a標(biāo)記的發(fā)射缺陷位置存在多種強(qiáng)度狀態(tài)，應(yīng)裙進(jìn)一步通過分析PL強(qiáng)度分布雙峰(i,ii)和三峰(iii)直方圖可以量化的強(qiáng)度態(tài)數(shù)。在單一缺陷極限下研究缺陷的能力將打破綜合平均所施加的限制，推出進(jìn)一步闡明缺陷對材料的化學(xué)、光學(xué)和電子特性的作用。

短波紅外(通常是900-1700nm，款電但也可能指的是1-3?μm)作為一個(gè)光譜窗口可以成為生物成像，通訊和量子技術(shù)發(fā)展的機(jī)遇。圖2d對比了兩種模式捕獲的圖像序列中同一像素的信號(hào)，應(yīng)裙展示了RWI的工作原理。