圖5Ag/CsPbBr3?QDs/ITO器件功能的主動切換a)示意圖說明了CsPbBr3?QDs基器件的雙重功能,百貨既可以是RRAM,通過改變偏置極性也可以是LEC。它們可以很容易地通過溶液方法進行處理,全部期并可用于高可擴展應(yīng)用的低成本、大規(guī)模生產(chǎn)的光電器件。其中,玩意由簡單的金屬/絕緣體/金屬薄膜堆疊構(gòu)成的非易失性電阻隨機存取存儲器(RRAM)是這場正在進行的數(shù)字革命的重要組成部分。

百貨 50 條,全部是實用的玩意兒(1108 第 2362 期)

最近開發(fā)的光學(xué)可讀存儲器將傳統(tǒng)的RRAM與發(fā)光二極管(LED)集成在一起,百貨以克服這個問題,百貨在RRAM的HRS和LRS直接識別的存在或沒有電致發(fā)光(EL)從LED發(fā)射。全部期d)CsPbBr3?QDs的(200)晶面的高分辨率TEM。

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鈣鈦礦QD層中由電驅(qū)動的離子運動使這種結(jié)構(gòu)既可以作為快速、玩意可靠的電記憶體,玩意也可以作為快速、高效的光源,更重要的是,通過簡單地調(diào)制其偏置極性,就可以在同一結(jié)構(gòu)的雙重功能之間快速切換。

百貨b)CsPbBr3?QD基RRAM的典型I-V特性。全部期(C)計算水從純水到ILC介質(zhì)的自由能變化的熱力學(xué)循環(huán)概述。

圖6?通過MD計算得到了水和離子的輸運性質(zhì),玩意并定量比較了雙連續(xù)和柱狀結(jié)構(gòu)之間的擴散和自由能分布(A)用OPLS-DFT和TIP3P進行MD計算得到的銨基陽離子、玩意BF4陰離子和水分子的自擴散系數(shù)和(B)雙連續(xù)和柱狀結(jié)構(gòu)的離子電導(dǎo)率。(E)在最終迭代步驟中陰離子、百貨陽離子和陽離子內(nèi)原子基團的電荷分布。

全部期(H,K)中的空間密度分布沿(C)和(F)中的y軸計算。玩意(D)水分子在ILC中的溶劑化自由能Δμin-ILC和(E)純水介質(zhì)與ILC之間的溶劑化自由能ΔΔμ的變化。

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