高通技術(shù)公司副總裁兼XR部門總經(jīng)理司宏國（HugoSwart）日前在美國毛伊島上的活動(dòng)中表示，辭職關(guān)于合作目前不能透露細(xì)節(jié)，辭職但我們確實(shí)在與三星電子、LG電子合作。據(jù)韓媒etnews今日?qǐng)?bào)道，京能經(jīng)理三星和LG已被證實(shí)正在開發(fā)基于高通芯片的XR設(shè)備。同時(shí)，電力司宏國稱目前計(jì)劃在明年第一季度推出下一代XR芯片，電力將比MetaQuest頭顯采用的第二代芯片（XR2）更加先進(jìn)，預(yù)計(jì)在圖形處理能力、視頻透視能力和AI性能均會(huì)優(yōu)于第二代芯片。

▲圖為高通第二代驍龍XR2平臺(tái)預(yù)計(jì)三星和LG將基于第三代芯片制造XR終端，副總以應(yīng)對(duì)Meta的Quest和蘋果的VisionPro等產(chǎn)品。三星和LG并未明確說明何時(shí)推出產(chǎn)品，辭職報(bào)道稱最早預(yù)計(jì)在明年上半年。

司宏國對(duì)XR設(shè)備的前景表示看好：京能經(jīng)理我們認(rèn)為2024年將是VR、AR設(shè)備的增長高峰年，未來2-5年是持續(xù)增長期。

注：電力三星、電力高通和谷歌曾于今年2月宣布結(jié)成XR聯(lián)盟，LG總裁趙柱完（音譯）也在今年7月舉行的中長期業(yè)務(wù)戰(zhàn)略新聞發(fā)布會(huì)上談到XR時(shí)表示，當(dāng)時(shí)正與幾家公司接觸并研究商業(yè)化的可能性。副總均勻的粒徑或窄的粒徑分布以及高分散性被認(rèn)為證明是增強(qiáng)酸性催化耐久性的關(guān)鍵。

辭職圖9DFT催化性能的機(jī)理研究?2022Elsevier（a）利用DFT建立了不同表面Pt:Co原子比的模型。二、京能經(jīng)理【成果掠影】在此，京能經(jīng)理上海交通大學(xué)沈水云副教授（通訊作者）在N,N-二甲基甲酰胺（DMF）溶劑中采用電沉積策略制備了PtCo/C催化劑，其中DMF與Pt和Co前驅(qū)體的配位極大地縮小了其沉積電位，促進(jìn)了最終的合金化。

此外，電力密度泛函理論（DFT）也表明，表面Pt:Co=1:1的樣品具有最佳的催化活性。在過去的幾十年中，副總有機(jī)或多元醇液體中的溶劑熱方法得到廣泛應(yīng)用，但通常需要相對(duì)較高的溫度或惡劣的條件。