Figure1.AnalysisofO-vacancydefectsonthereducedCo3O4nanosheets.(a)CoK-edgeXANESspectra,indicatingareducedelectronicstructureofreducedCo3O4.(b)PDFanalysisofpristineandreducedCo3O4nanosheets,suggestingalargevariationofinteratomicdistancesinthereducedCo3O4structure.(c)CoK-edgeEXAFSdataand(d)thecorrespondingk3-weightedFourier-transformeddataofpristineandreducedCo3O4nanosheets,demonstratingthatO-vacancieshaveledtoadefect-richstructureandloweredthelocalcoordinationnumbers.XRDXRD全稱是X射線衍射，價(jià)均降即通過(guò)對(duì)材料進(jìn)行X射線衍射來(lái)分析其衍射圖譜，價(jià)均降以獲得材料的結(jié)構(gòu)和成分，是目前電池材料常用的結(jié)構(gòu)組分表征手段。分千而機(jī)理研究則是考驗(yàn)科研工作者們的學(xué)術(shù)能力基礎(chǔ)和科研經(jīng)費(fèi)的充裕程度。Fig.2In-situXRDanalysisoftheinteractionsduringcycling.（a）XRDintensityheatmapfrom4oto8.5oofa2.4mgcm–2cellsfirstcycledischargeat54mAg–1andchargeat187.5mAg–1,wheretriangles=Li2S,square=AQ,asterisk=sulfur,andcircle=potentiallypolysulfide2θ.(b)ThecorrespondingvoltageprofileduringtheinsituXRDcyclingexperiment.材料形貌表征在材料科學(xué)的研究領(lǐng)域中，貴州工商常用的形貌表征主要包括了SEM，貴州工商TEM，AFM等顯微鏡成像技術(shù)。

小編根據(jù)常見的材料表征分析分為四個(gè)大類，再降材料結(jié)構(gòu)組分表征，材料形貌表征，材料物理化學(xué)表征和理論計(jì)算分析。最近，般業(yè)電晏成林課題組（NanoLett.,2017,17,538-543）利用原位紫外-可見光光譜的反射模式檢測(cè)鋰硫電池充放電過(guò)程中多硫化物的形成，般業(yè)電根據(jù)圖譜中不同位置的峰強(qiáng)度實(shí)時(shí)獲得充放電過(guò)程中多硫化物種類及含量的變化，如圖四所示。

XANES?X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)（XANES）又稱近邊X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)（NEXAFS），價(jià)均降是吸收光譜的一種類型

然后，分千為了定量的分析壓電滯回線的凹陷特征，構(gòu)建圖3-8所示的凸結(jié)構(gòu)曲線。圖1剝離聚丙烯保護(hù)層后干膜的組成示意圖及其C1s譜圖圖2剝離后的聚丙烯層示意圖及其C1s譜圖純聚丙烯表面的碳譜有單個(gè)不對(duì)稱峰，貴州工商來(lái)源于CH2,CH3的貢獻(xiàn)，貴州工商而與干膜接觸后又被剝離的的聚丙烯表面的碳譜出現(xiàn)了C-O,C-C,C=O等與干膜的碳峰相似的峰，干膜的XPS分析表明其表面可能是部分酯化化纖維素的混合物和脂肪族碳化物。

圖1金的X射線光電子圖像圖2金含量隨位置變化圖??????2.干膜光刻的XPS分析[6]干膜光致抗蝕劑在光刻技術(shù)中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，再降光致抗蝕劑通常具有聚合物基板（例如PET）和保護(hù)層（如聚丙烯），再降保護(hù)層在使用過(guò)程中被剝離，但該過(guò)程的效率取決于干膜保護(hù)層的界面性質(zhì)。該方法極大依賴于光譜儀和光子能量校準(zhǔn)的精確度，般業(yè)電在K-AlphaXPS中，般業(yè)電儀器會(huì)自動(dòng)校準(zhǔn)結(jié)合能，光子能量可以通過(guò)測(cè)量X射線誘導(dǎo)的俄歇峰的結(jié)合能位置來(lái)檢查，以上校準(zhǔn)過(guò)程儀器自動(dòng)完成，所以XPS是一種研究失效太陽(yáng)能電池脫出功面分布快捷直觀的手段。

價(jià)均降在清洗物品的過(guò)程中接觸溶劑也會(huì)將手套表面的某些成分轉(zhuǎn)移到這些物品的表面。對(duì)比氧化前后硅烯的Si2p峰，分千發(fā)現(xiàn)√3×√3硅烯上的Si-Si鍵強(qiáng)度和位置并無(wú)變化，分千而√13×√13/4×4硅烯緩沖層對(duì)應(yīng)的XPS衍射峰強(qiáng)度降低，往高結(jié)合能移動(dòng)，表明√13×√13/4×4緩沖層與Ag（111）表面之間的Si-Ag鍵部分在氧處理過(guò)程中被破壞，而上層√3×√3硅烯層抗氧化。