在基于高Sn空位濃度的基礎(chǔ)上,賣(mài)課該團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了具有高密度納米孔結(jié)構(gòu)的p型硒化錫多晶塊體,其ZT值在773K下可達(dá)到1.1,如圖5所示。先養(yǎng)(g)其在SnSe-plane的線掃結(jié)果。該團(tuán)隊(duì)通過(guò)溶劑熱法實(shí)現(xiàn)了n型銻元素?fù)诫s的硒化錫微米級(jí)板條狀晶體,賣(mài)課如圖4所示,賣(mài)課其所展現(xiàn)出來(lái)的優(yōu)異的熱電性能(773K下ZT達(dá)到1.1)得益于其較高的功率因子(2.4μWcm-1?K-2)以及其超低的熱導(dǎo)率(0.17Wm-1?K-1)。

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SnSe作為一種典型的半導(dǎo)體熱電材料,先養(yǎng)擁有如下特點(diǎn):先養(yǎng)(1)在~800?K發(fā)生相變,從正交Pnma結(jié)構(gòu)變?yōu)檎籆mcm結(jié)構(gòu),(2)具有較高的載流子濃度,并能夠通過(guò)引入空位進(jìn)一步提高載流子濃度。同時(shí),賣(mài)課該團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)隨著銅摻雜濃度的提升,硒化錫單晶的擇優(yōu)生長(zhǎng)會(huì)發(fā)生變化,由板條狀逐漸向帶狀過(guò)渡,進(jìn)而降低了燒結(jié)塊體材料的各向異性。

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先養(yǎng)(b)TEM照片觀察其缺陷群。

組成熱電模塊的前提是同時(shí)需要p型和n型兩種熱電材料,賣(mài)課因此,合成具有高熱電性能的n型多晶硒化錫也是研究重點(diǎn)之一。在交互體驗(yàn)方面,先養(yǎng)當(dāng)貝PadGO的表現(xiàn)也讓人頗為驚喜。

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