得益于穩(wěn)固的氧缺陷-V6O13正極，營銷應(yīng)用Zn//Od-VO電池在200次循環(huán)以上表現(xiàn)出前所未有的穩(wěn)定性，營銷應(yīng)用高比容量接近400?mAh?g-1，達(dá)到95%的理論容量利用率，2000次循環(huán)后仍有67%的高利用率。作業(yè)（c）完美的VO2和（d）氧缺陷Od-VO2的Zn2+吸附結(jié)構(gòu)幾何形狀（側(cè)視圖）?，F(xiàn)場（k）用于高度可逆的Zn2+離子嵌入/脫嵌的缺陷晶體的示意圖。

中科院胡林華研究員，全面華盛頓大學(xué)曹國忠教授，全面石家莊學(xué)院紀(jì)登輝博士等團(tuán)隊(duì)通過重復(fù)相變過程合成了富含氧缺陷的VO2(B)，并系統(tǒng)研究了氧缺陷對VO2(B)的晶體結(jié)構(gòu)，電化學(xué)和鋅離子存儲性能的影響[8]。此外，數(shù)智通過計(jì)算電荷密度差等值面發(fā)現(xiàn)，純KVO和氧缺陷KVO的Zn位點(diǎn)附近的電荷都顯著降低，而相鄰V位和O位附近的電荷顯著增加。

截止目前，化設(shè)針對這兩種材料自身瑕疵（如：晶體結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定、金屬元素溶解以及導(dǎo)電率差等）而展開的研究可謂花樣百出，層出不窮。

通過循環(huán)伏安法對Od-VO2-G和純相VO2的電化學(xué)反應(yīng)動力學(xué)進(jìn)行分析發(fā)現(xiàn)，國網(wǎng)氧空位和異質(zhì)界面促進(jìn)了電容型電荷存儲和加速了鋅離子的擴(kuò)散速率，國網(wǎng)這些結(jié)論與電化學(xué)阻抗譜（EIS）測量和DFT計(jì)算相吻合。材料人網(wǎng)專注于跟蹤材料領(lǐng)域科技及行業(yè)進(jìn)展，天津這里匯集了各大高校碩博生、天津一線科研人員以及行業(yè)從業(yè)者，如果您對于跟蹤材料領(lǐng)域科技進(jìn)展，解讀高水平文章或是評述行業(yè)有興趣，點(diǎn)我加入編輯部。

電力2005年入選中國科學(xué)院百人計(jì)劃?，F(xiàn)在就讓小編來盤點(diǎn)一下過去五年內(nèi)材料領(lǐng)域國內(nèi)常發(fā)Nature、營銷應(yīng)用Science的團(tuán)隊(duì)，一睹大師們的風(fēng)采。

2001-2008年在美國Nanosys高科技公司工作、作業(yè)是該公司的聯(lián)合創(chuàng)始人之一，作業(yè)歷任聯(lián)合技術(shù)顧問、先進(jìn)技術(shù)科學(xué)家、先進(jìn)技術(shù)高級科學(xué)家、先進(jìn)技術(shù)部經(jīng)理和首席科學(xué)家?，F(xiàn)場1995年獲國家杰出青年基金資助。