此外，入電LG還表示當(dāng)前正在開(kāi)發(fā)智能眼鏡。▲圖為高通第二代驍龍XR2平臺(tái)預(yù)計(jì)三星和LG將基于第三代芯片制造XR終端，力系以應(yīng)對(duì)Meta的Quest和蘋(píng)果的VisionPro等產(chǎn)品。三星和LG并未明確說(shuō)明何時(shí)推出產(chǎn)品，統(tǒng)技報(bào)道稱最早預(yù)計(jì)在明年上半年。

據(jù)韓媒etnews今日?qǐng)?bào)道，術(shù)規(guī)三星和LG已被證實(shí)正在開(kāi)發(fā)基于高通芯片的XR設(shè)備。注：定征三星、定征高通和谷歌曾于今年2月宣布結(jié)成XR聯(lián)盟，LG總裁趙柱完（音譯）也在今年7月舉行的中長(zhǎng)期業(yè)務(wù)戰(zhàn)略新聞發(fā)布會(huì)上談到XR時(shí)表示，當(dāng)時(shí)正與幾家公司接觸并研究商業(yè)化的可能性

ZNDS智能電視網(wǎng)獲悉，求意樂(lè)視視頻官宣雙11期間樂(lè)視視頻APP取消會(huì)員付費(fèi)，所有內(nèi)容0元看。

見(jiàn)稿以下為樂(lè)視視頻公告全文：。增量b)W2N3和NV-W2N3上NH3產(chǎn)生的理論極限電位的大小。

實(shí)驗(yàn)證明Cr摻雜的CeO2納米棒是在常溫條件下將N2催化產(chǎn)生NH3的優(yōu)異電催化劑，配電Cr的引入導(dǎo)致OV的增加，因此增加了其對(duì)NRR的催化活性。2.非解離機(jī)制中，網(wǎng)接氮?dú)夥肿颖粴浠瘯r(shí)，網(wǎng)接兩個(gè)氮原子仍保持彼此結(jié)合的狀態(tài)，并且存在兩種可能的氫化途徑：一種是氫化反應(yīng)優(yōu)先發(fā)生在離表面最遠(yuǎn)的氮原子上（假設(shè)N2分子是末端配位模式），生成一當(dāng)量的NH3并在催化劑表面留下一個(gè)吸附氮原子（或者金屬氮化物M≡N單元），隨后被氫化給出第二當(dāng)量的NH3。

2D材料具有單一且完全暴露的晶體表面，入電賦予2D材料及其空位以優(yōu)異的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，入電因此，設(shè)計(jì)具有裸露晶面及氮空位穩(wěn)定的2DTMN是可行的提高NRR催化性能的一種合成方法。2DW2N3具有出色的NRR性能，力系平均NH3產(chǎn)生率為11.66±0.98μgh-1?mg-1cat（3.80±0.32×10-11?molcm-2s-1），法拉第效率（0.10M?KOH）在?0.2V時(shí)，相對(duì)于RHE為11.67±0.93％。