ⅱ.ARPES顯示了硒氧化鉍的間接帶隙寬度約為0.8eV圖2硒氧化鉍的表面形貌和統(tǒng)一的帶隙(A)STM顯示了開(kāi)裂的硒氧化鉍表面呈現(xiàn)出階梯形貌，代對(duì)賭階梯邊緣高度差達(dá)到0.61nm左右(B)ⅰ放大的STM圖像顯示了階梯邊緣附近區(qū)域。近年發(fā)表論文90余篇，訊身被引次數(shù)超過(guò)12000次。此外，上賺硒氧化鉍的Bi-O層和鈣鈦礦氧化物有匹配的晶體結(jié)構(gòu)，可以與超導(dǎo)、鐵磁、鐵電等多種功能氧化物形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)并展現(xiàn)豐富的物理性質(zhì)。

代對(duì)賭設(shè)計(jì)并制備了一類(lèi)全新的超高遷移率二維硒氧族半導(dǎo)體芯片材料。建立了精確調(diào)控石墨烯結(jié)構(gòu)的范德華外延、訊身限域分子流、訊身持續(xù)氧輔助等一系列生長(zhǎng)方法，創(chuàng)造了石墨烯單晶生長(zhǎng)速度的世界紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)了4英寸無(wú)褶皺石墨烯單晶晶圓、大面積石墨烯薄膜的連續(xù)批量制備和綠色無(wú)損轉(zhuǎn)移，實(shí)現(xiàn)了旋轉(zhuǎn)雙層石墨烯光電器件研制、單晶石墨烯PN結(jié)的調(diào)制摻雜和光熱電機(jī)制的高效能量轉(zhuǎn)換。

彭海琳教授課題組及其合作者于2年多前首次發(fā)現(xiàn)了二維硒氧化鉍層狀材料，上賺其后再次基礎(chǔ)上開(kāi)展了多項(xiàng)引人注目的研究（NatureNanotech.2017,12,530;NanoLett.2017,17,3021;Adv.Mater.2017,29,1704060;NatureCommun.2018,9,3311）。

主要從事高遷移率二維材料(石墨烯、代對(duì)賭拓?fù)浣^緣體、金屬硫氧族材料)的制備科學(xué)及器件應(yīng)用研究近十年來(lái)，訊身二維半導(dǎo)體以其高遷移率、帶隙合理的特點(diǎn)成為發(fā)展新一代電子器件的熱門(mén)材料。

建立了拓?fù)浣^緣體二維結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)方法，上賺實(shí)現(xiàn)了首例拓?fù)浣^緣體二維陣列的制備，上賺首次觀測(cè)到拓?fù)浣^緣體的AB量子干涉效應(yīng)，并開(kāi)創(chuàng)了拓?fù)浣^緣體在柔性透明電極的應(yīng)用。ⅳ.進(jìn)一步放大的圖像顯示了硒空位和硒原子(C)掃描隧道譜（STS）顯示出鄰近和遠(yuǎn)離階梯邊緣區(qū)域的帶隙寬度均約為0.8eV(D)STS圖譜展示了帶隙寬度的統(tǒng)一性圖3硒氧化鉍的完整能帶結(jié)構(gòu)(A)ky-kz平面的費(fèi)米面繪制(B)由導(dǎo)帶形成的電子口袋的細(xì)節(jié)部分(C)能帶色散圖沒(méi)有觀測(cè)到邊緣態(tài)或者表面態(tài)的存在(D)能帶結(jié)構(gòu)的詳細(xì)三維圖像解析圖4硒氧化鉍的表面圖形及其對(duì)能帶結(jié)構(gòu)的影響(A)大面積原子級(jí)分辨STM拓?fù)鋱D像顯示了開(kāi)裂樣品表面的周期性結(jié)構(gòu)(B)開(kāi)裂表面圖形的蒙特卡洛模擬和快速傅里葉變換（FFT）(C)表面鉍、代對(duì)賭硒原子的STS實(shí)驗(yàn)測(cè)量和計(jì)算結(jié)果【小結(jié)】這項(xiàng)工作通過(guò)實(shí)驗(yàn)觀測(cè)發(fā)現(xiàn)新型超高遷移率層狀硒氧化鉍半導(dǎo)體材料的帶隙具備優(yōu)異的空間一致性，代對(duì)賭即便材料存在表面缺陷（約50%的硒空位）的條件下，帶隙依然表現(xiàn)出強(qiáng)大的穩(wěn)健性能。

此外，訊身通過(guò)改變材料的厚度還能調(diào)控帶隙寬度。2018年9月14日，上賺相關(guān)成果以題為Electronicstructuresandunusuallyrobustbandgapinanultrahigh-mobilitylayeredoxidesemiconductor,Bi2O2Se在線發(fā)表在ScienceAdvances上。