（c，技術(shù)d）從DFT計(jì)算中得到的Si(111)-B上孤立的IMe分子的能量上最有利的幾何形狀。文獻(xiàn)鏈接：微語ControlledgrowthoforderedmonolayersofN-heterocycliccarbenesonsilicon(NatureChemistry，2021，10.1038/s41560-021-00833-6)本文由材料人CYM編譯供稿。對(duì)于所有研究的NHC，錄精在碳原子與硅表面原子之間形成共價(jià)鍵的NHC被垂直吸附。

（d，做做銷e）Si(111)-B的總體概述和詳細(xì)的STM圖像。然而，技術(shù)隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，硅仍然是半導(dǎo)體器件中的首選元素，因此硅表面的改性以增強(qiáng)從光伏器件中有機(jī)分子收集對(duì)發(fā)展電子工業(yè)至關(guān)重要。

微語相關(guān)研究成果以ControlledgrowthoforderedmonolayersofN-heterocycliccarbenesonsilicon為題發(fā)表在NatureChemistry上。

【小結(jié)】綜上所述，錄精在詳細(xì)的STM、DFT和XPS研究中，作者已經(jīng)證明了使用不同模型NHCs在Si（111）上形成共價(jià)結(jié)合的NHC單層。近期代表性成果：做做銷1、做做銷Angew：冷壁化學(xué)氣相沉積方法用于石墨烯的超凈生長北京大學(xué)劉忠范院士，彭海琳教授和曼徹斯特大學(xué)李林教授展示了一種在CW-CVD系統(tǒng)中大面積生長超潔凈石墨烯薄膜的簡便方法，該方法制備的石墨烯薄膜具有改善的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。

近期代表性成果：技術(shù)1、技術(shù)Angew:?調(diào)節(jié)單原子摻雜二氧化鈦中晶格氧的電荷轉(zhuǎn)移以HER中科院化學(xué)研究所姚建年院士和北京交通大學(xué)王熙教授分別以TM1/TiO2和HER為模型催化劑和模型反應(yīng)，系統(tǒng)地研究了催化作用下的電荷轉(zhuǎn)移。微語兩種方法均被證明在調(diào)節(jié)電荷向O的轉(zhuǎn)移以及HER性能的變化中起關(guān)鍵作用。

錄精2014年度中國科學(xué)院杰出科技成就獎(jiǎng)。做做銷2001年獲得國家杰出青年科學(xué)基金資助。