對(duì)于純PtD-y供體和摻雜的受主發(fā)射，點(diǎn)電地化最高的PL各向異性比分別達(dá)到0.87和0.82，點(diǎn)電地化表明供體的激發(fā)各向異性能可以有效地轉(zhuǎn)移到受體上，并具有顯著的放大作用。1995年獲中國(guó)駐日大使館教育處優(yōu)秀留學(xué)人員稱號(hào)，網(wǎng)項(xiàng)同年獲國(guó)家杰出青年科學(xué)基金資助。中國(guó)化學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)、目屬面管中國(guó)國(guó)際科技促進(jìn)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、目屬面管中關(guān)村石墨烯產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長(zhǎng)、中關(guān)村科技園區(qū)豐臺(tái)園科協(xié)第三屆委員會(huì)主席、教育部科技委委員及學(xué)風(fēng)建設(shè)委員會(huì)副主任和國(guó)際合作學(xué)部副主任。

1998年獲得日本文部省頒發(fā)的青年特別獎(jiǎng)勵(lì)基金，運(yùn)維由縣同年入選中國(guó)科學(xué)院百人計(jì)劃。此外，正式在純凈和摻雜的PtD-y晶體中觀察到了與EnT過程耦合的顯著PL各向異性。

溫度的獨(dú)特分布將抑制生長(zhǎng)過程中的氣相反應(yīng)，司進(jìn)從而確保獲得清潔度得到改善的石墨烯。

這項(xiàng)研究為石墨烯的CVD生長(zhǎng)中的氣相反應(yīng)工程學(xué)提供了新的見解，行全從而獲得了高質(zhì)量的石墨烯薄膜，行全并為大規(guī)模生產(chǎn)具有改進(jìn)性能的石墨烯薄膜鋪平了道路，為將來的應(yīng)用鋪平了道路。定向能量沉積技術(shù)（DED）因其在一步制造大樣品尺寸和復(fù)雜形狀的高致密零件方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，兩項(xiàng)理已成為一種無需燒結(jié)即可直接制備高性能Al2O3基共晶陶瓷的技術(shù)。

在底部觀察到許多微缺陷，國(guó)家工作如圖3a所示DED處理的Al2O3/GdAlO3/ZrO2共晶陶瓷，這些缺陷在激光增材制造過程中會(huì)成為應(yīng)力集中區(qū)，誘發(fā)縱向裂紋的形成。提高掃描速度可以顯著加快熔池的凝固速度，重級(jí)從而細(xì)化沉積態(tài)材料的微觀結(jié)構(gòu)，提高其斷裂強(qiáng)度，抑制裂紋的形成和擴(kuò)展。

在裂紋擴(kuò)展過程中，點(diǎn)電地化會(huì)發(fā)生分叉，形成二次裂紋甚至三次裂紋，如圖2b所示。擬合結(jié)果發(fā)現(xiàn)代表平均層厚度的直線斜率與預(yù)設(shè)的Δh一致，網(wǎng)項(xiàng)滿足穩(wěn)定分層沉積的理想標(biāo)準(zhǔn)。