此后,科研討論了三大類主要缺陷,科研包括雜原子摻雜、原子/離子空位和晶界,從理論和實(shí)驗(yàn)兩個方面揭示了各自獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)及其對電化學(xué)ECR性能的影響。這種觀點(diǎn)的選擇是基于這樣一個事實(shí),位招即所有固體都含缺陷,這些缺陷又會對材料的導(dǎo)電性,反應(yīng)活性和選擇性產(chǎn)生影響。又院?圖9?ECR的金屬和金屬氧化物界面(A)Au-CeO2/C催化劑的高分辨率TEM圖像。

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<p>(C)在各種KOH電解液濃度下的線性掃描伏安法掃描,波兩布?xì)滹@示在高KOH濃度下CO2的過電位低。大央圖10?ECR的金屬氫氧化物和碳基材料界面(A)Fe/O-C和Fe/N-C樣品的熒光產(chǎn)率(FY)FeK-edgeXANES光譜。</p>
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