這個(gè)工作建立了自我嵌入作為一種方法，公司通過(guò)該方法可以生長(zhǎng)具有化學(xué)計(jì)量或成分相關(guān)特性的新型2D材料。如果通過(guò)化學(xué)氣相沉積或先進(jìn)的合成有機(jī)方法進(jìn)行，現(xiàn)貨顯著則自下而上的高質(zhì)量石墨烯合成通常會(huì)被限制為超少量，現(xiàn)貨顯著或者如果在本體溶液中進(jìn)行，則其將提供缺陷密集的結(jié)構(gòu)。當(dāng)使用高碳源（例如炭黑，交易無(wú)煙煤或煅燒焦炭）時(shí)，收率范圍為80％至90％，碳純度大于99％。

人們甚至認(rèn)為從理論上講，成效在諸如Cu（111）這樣的高對(duì)稱性表面上生長(zhǎng)單晶hBN是不可能的。系統(tǒng)掃描透射電子顯微鏡研究表明，陜煤省間近乎理想的vdW界面具有可廣泛調(diào)節(jié)的莫爾超晶格。

因此，電力電力作者確立了θ紊亂作為一種非常規(guī)類型的紊亂的重要性，電力電力這種紊亂使得能夠?qū)⑴で翘荻扔糜趲罱Y(jié)構(gòu)工程，實(shí)現(xiàn)相關(guān)現(xiàn)象以及用于設(shè)備應(yīng)用的門(mén)可調(diào)內(nèi)置平面電場(chǎng)。

運(yùn)城8作為二維材料老一輩網(wǎng)紅的石墨烯開(kāi)啟了人們對(duì)二維材料的關(guān)注。與沉積的接觸相比，公司這個(gè)工作的范德華接觸顯示出降低了兩到三個(gè)數(shù)量級(jí)的接觸電阻，從而可以在較寬的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行系統(tǒng)的輸運(yùn)性能研究。

然而，現(xiàn)貨顯著盡管對(duì)于鈣鈦礦的自旋電子學(xué)的光學(xué)研究進(jìn)展令人振奮，但迄今為止，相關(guān)的輸運(yùn)研究在很大程度上一直受到不良接觸的困擾。因此，交易制備高質(zhì)量的接觸對(duì)于可靠的自旋輸運(yùn)研究至關(guān)重要，可以充分釋放此類獨(dú)特材料的潛力。

【圖文導(dǎo)讀】圖1.CsPbBr3單晶薄膜的表征a.在白云母上生長(zhǎng)的CsPbBr3薄膜的X射線衍射圖僅顯示（00l）平面，成效表明高度取向的生長(zhǎng)b.CsPbBr3薄膜的（110）極圖顯示了四個(gè)極，成效它們的等距間隔對(duì)應(yīng)于{110}族的對(duì)稱平面C.成膜后的大面積AFM圖像，線輪廓顯示了膜的厚度d.CsPbBr3薄膜表面形貌的3D圖像以及相應(yīng)的線輪廓圖，突出顯示了具有0.19nm小均方根粗糙度的超光滑表面e.CsPbBr3薄膜的光致發(fā)光光譜f.陽(yáng)光直射下成膜的CsPbBr3薄膜和旋涂薄膜的照片圖2.通過(guò)轉(zhuǎn)移方法形成無(wú)損傷的vdW接觸a.通過(guò)轉(zhuǎn)移法得到接觸的示意圖b.在整個(gè)基板上轉(zhuǎn)移的電極陣列的照片，允許在厘米級(jí)的鈣鈦礦薄膜上集成電極陣列c.鈣鈦礦薄膜上轉(zhuǎn)移的金電極陣列的照片，以及具有2μm溝道長(zhǎng)度的兩端器件的特寫(xiě)照片d,e.鈣鈦礦薄膜上沉積的電極剝離前后的照片和光致發(fā)光圖像f,g.鈣鈦礦薄膜上轉(zhuǎn)移的電極剝離前后的照片和光致發(fā)光圖像h.沉積和轉(zhuǎn)移電極覆蓋的區(qū)域在電極被剝離后的光致發(fā)光發(fā)射光譜i,j.具有沉積電極和vdW電極的CsPbBr3薄膜的橫截面的掃描透射電子顯微鏡圖像k,l.CsPbBr3薄膜橫截面的高分辨率透射電子顯微鏡圖像，其中沉積的電極顯示出電極下方的無(wú)序界面（k），轉(zhuǎn)移的電極顯示出原子級(jí)銳利的界面（l）圖3.vdW接觸的性能a.通過(guò)vdW-contact方法制備的典型霍爾棒器件的照片b.在藍(lán)色LED照明功率密度為18.8mW/cm2的情況下，具有沉積（藍(lán)色）和vdW（紅色）接觸的器件的室溫IVc.在各種溫度下具有沉積接觸和vdW接觸的器件的接觸電阻和溝道電阻的比較d,e.在各種光照強(qiáng)度下，室溫（d）和3.5K（e）的vdW接觸器件的IV特性f.vdW接觸在不同溫度下與照明功率有關(guān)的接觸電阻圖4.使用vdW接觸探測(cè)鈣鈦礦的光電載流子動(dòng)力學(xué)a.在不同溫度下的電阻漂移，突出了室溫下由施加偏壓引起的離子運(yùn)動(dòng)，導(dǎo)致相當(dāng)大的電阻漂移涂料企業(yè)需迎合消費(fèi)需求做產(chǎn)品如今，陜煤省間涂料行業(yè)的暴利時(shí)代已經(jīng)是完完全全的過(guò)去了，進(jìn)入了微利時(shí)代。