當(dāng)放電電壓在0.5V以下，通信由于分解反應(yīng)，二維結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。產(chǎn)業(yè)G峰的消失是由于第一階段的GIC高導(dǎo)電性導(dǎo)致光學(xué)表面深度和拉曼散射強(qiáng)度的降低。根據(jù)原位拉曼和非原位x射線(xiàn)衍射結(jié)果，鏡機(jī)MoS2-xSex二維的層狀晶體結(jié)構(gòu)的維持取決于放電電位范圍。

如圖6b，通信c所示，在放電過(guò)程中，前30min內(nèi)沒(méi)有出現(xiàn)明顯的峰值。產(chǎn)業(yè)圖4?石墨和rGO的原位拉曼光譜[3]研究者們利用原位拉曼研究了碳質(zhì)材料在電化學(xué)摻雜過(guò)程中的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)。

圖3?N-FLG和FlG的CV，鏡機(jī)原位拉曼光譜和K+存儲(chǔ)機(jī)制[2]鋰離子電池中的應(yīng)用新加坡國(guó)立大學(xué)研究機(jī)構(gòu)在TheJournalofPhysicalChemistryC期刊上發(fā)表論文：鏡機(jī)InSituRamanandNuclearMagneticResonanceStudyofTrappedLithiumintheSolidElectrolyteInterfaceofReducedGrapheneOxide。

同時(shí)作者測(cè)試了3個(gè)階段的非原位原位XRD，通信對(duì)晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了再次確認(rèn)(圖2c)。曾獲北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，產(chǎn)業(yè)中國(guó)化學(xué)會(huì)青年化學(xué)獎(jiǎng)，中國(guó)青年科技獎(jiǎng)等獎(jiǎng)勵(lì)。

高導(dǎo)電性、鏡機(jī)卓越的吸附能力和精細(xì)的結(jié)構(gòu)使GQF成為一種很有前途的實(shí)時(shí)氣體檢測(cè)方法。主要從事納米碳材料、通信二維原子晶體材料和納米化學(xué)研究，通信在石墨烯、碳納米管的化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)方法及其應(yīng)用領(lǐng)域做出了一系列開(kāi)拓性和引領(lǐng)性工作，是國(guó)際上具有代表性的納米碳材料研究團(tuán)隊(duì)之一。

產(chǎn)業(yè)2011年獲得第三世界科學(xué)院化學(xué)獎(jiǎng)。鏡機(jī)2007年被聘為納米研究重大科學(xué)研究計(jì)劃仿生智能納米復(fù)合材料項(xiàng)目首席科學(xué)家。