聚焦于平面納米線生長、新變集成和器件應(yīng)用的研究進(jìn)展，新變南京大學(xué)余林蔚、徐駿教授課題組應(yīng)邀在《先進(jìn)材料》上撰寫長文綜述，系統(tǒng)介紹近二十年來自組裝半導(dǎo)體納米線研究的發(fā)展歷程，關(guān)鍵技術(shù)突破和目前所面臨的主要困難?；瘒ㄓ遥├茂B層前驅(qū)體供給實(shí)現(xiàn)的Ge/Si異質(zhì)島鏈超晶格納米線結(jié)構(gòu)及其組分和結(jié)構(gòu)表征。然而，網(wǎng)區(qū)如何在主流平面工藝框架中，網(wǎng)區(qū)實(shí)現(xiàn)自組裝半導(dǎo)體納米線的精準(zhǔn)定位和規(guī)模集成，一直是巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)--被當(dāng)今學(xué)術(shù)界廣泛認(rèn)為是突破和推廣納米線技術(shù)應(yīng)用的最后一個(gè)技術(shù)障礙。

圖5：施細(xì)（左）平面納米線超朔形形貌調(diào)控實(shí)現(xiàn)的均勻、島鏈、彈簧和分立納米線結(jié)構(gòu)。3）基于一種新型的平面固液固(In-Plane-Solid-Liquid-Solid,IPSLS)生長機(jī)制，則修利用非晶薄膜（例如非晶硅，則修a-Si）作為前驅(qū)體，直接將金屬催化液滴限制于平面中，生長出自回避、不交叉的平面半導(dǎo)體納米線。

基于此IPSLS生長模式，訂稿可以方便地實(shí)現(xiàn)平面同質(zhì)／異質(zhì)定向外延生長，還能夠利用可以方便定義的臺(tái)階邊緣對(duì)納米線進(jìn)行精準(zhǔn)定位引導(dǎo)。

以上綜述內(nèi)容近期發(fā)表于AdvancedMaterials?31,1903945(2019)DOI:10.1002/adma.201903945,PlanarGrowth,Integration,andApplicationsofSemiconductingNanowires，綠電https://doi.org/10.1002/adma.201903945,孫瑩同學(xué)，綠電董泰閣同學(xué)為共同第一作者，余林蔚教授和徐駿教授為通信作者。f）片狀SnO2@PB（前驅(qū)體，交易解讀Sn-90）的透射電鏡圖像。

研究超薄，迎域?qū)嵖烧{(diào)諧的高性能柔性電磁吸收裝置對(duì)于解決信號(hào)干擾和電磁污染問題具有重要意義，然而這方面的研究仍然進(jìn)展緩慢。新變c）ET-FA裝置（Sn-45）的合格fE區(qū)。

g，化國h）放大的Sn-75和Sn-90的透射電鏡圖像。網(wǎng)區(qū)圖6電開關(guān)Sn/SnS/SnO2@C和Sn/SnS@C基電磁吸收器件a）SnS/SnO2@C的形成示意圖。