這主要是因為碲化鉬的反應(yīng)速率常數(shù)較低,電力大數(shù)使得島狀生長優(yōu)先于連續(xù)薄膜生長,導(dǎo)致大面積單層碲化鉬的制備受到限制。據(jù)市據(jù)存文獻鏈接:ImmobilizedPrecursorParticleDrivenGrowthofCentimeter-SizedMoTe2Monolayer,JACS,2021,DOI:10.1021/jacs.1c06250.。場數(shù)儲和處理(h)在PET襯底上彎曲的二碲化鉬的照片。

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滯后(b)單斜二碲化鉬的高分辨TEM圖像。信息這一發(fā)現(xiàn)為那些低反應(yīng)速率的過渡金屬硫化物的大面積制備提供了簡便策略。

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企業(yè)(b,c)不同退火溫度下制備的二碲化鉬樣品的XPS圖譜。

淘金(f)二碲化鉬分子從二碲化鉬單層表面到邊緣擴散的吸附構(gòu)型。(b)在水氧化條件和不同外加電位下,電力大數(shù)赤鐵礦(α-Fe2O3)空穴的瞬態(tài)吸收衰減。

(f)強度調(diào)制光電流光譜的電荷復(fù)合速率常數(shù)表明,據(jù)市據(jù)存當(dāng)添加IrOx催化劑時赤鐵礦(α-Fe2O3)光陽極中的表面復(fù)合較慢。它們的性能限制主要是由于體電荷載流子壽命與界面催化時間尺度之間的動力學(xué)不匹配,場數(shù)儲和處理導(dǎo)致大多數(shù)光激發(fā)電子和空穴的重組。

(b)超快瞬態(tài)吸收衰減數(shù)據(jù)顯示,滯后對比單獨的BiVO4,當(dāng)WO3與BiVO4形成異質(zhì)結(jié)時獲得更長的壽命。圖四、信息在金屬氧化物光陽極中發(fā)現(xiàn)的三種主要類型的半導(dǎo)體固態(tài)結(jié)(a)兩個金屬氧化物半導(dǎo)體之間的II型異質(zhì)結(jié),以n-n結(jié)的能帶彎曲為例進行說明。

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