【成果簡介】近日,交易山東大學夏玉國老師、交易陳代榮教授(共同通訊作者)等人開發(fā)了一種缺陷型的三元金屬硫化物(CdIn2S4)光電陽極,通過引入表面硫空位來顯著提高了其PEC性能,在模擬太陽光,1.23Vvs.RHE偏壓下的光電流密度為5.73mAcm-2,在0.477Vvs.RHE的光電轉(zhuǎn)換效率為2.49%。此外,組織引入硫空位后,金屬硫化物的電荷密度也可以顯著提高,從而縮短耗盡寬度,增強光電陽極/電解質(zhì)界面能帶彎曲。硫空位引入的陷阱態(tài)可以作為捕獲中心,應急預案使載流子分離。

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電荷差密度由Δρ=ρ1.23V-ρ0V計算,處理黃色區(qū)域表示電子累積。應用成果應用后產(chǎn)生了顯著的經(jīng)濟與社會效益,發(fā)布作為第一完成人,發(fā)布獲得國家科技進步二等獎、山東省科技進步一等獎、山東省科技進步二等獎、教育部科技進步二等獎各一項。

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廣東圖3光學和光電化學的機理a)UV-vis漫反射光譜。

f)在AM1.5G,電力100mWcm-2照明下,在0.35MNa2SO3和0.25MNa2S混合溶液(pH=12.5)中進行穩(wěn)定性測試,以及實驗和理論上的析氫產(chǎn)率。市場介電電容器的能量密度由電場感應的極化和擊穿電場控制。

介電陶瓷被認為是這些儲能應用中最有前途的材料之一,交易因為與電化學電池相比,它們的快速充電和放電能力以及與介電聚合物相比的高溫穩(wěn)定性。因此,組織薄膜可能無法滿足許多需要高能量水平的電子設備的要求。

此外,應急預案本文報道了直接從BaTiO3前驅(qū)體合成111取向SrTiO3微孔板的途徑,這為微/納米級鈣鈦礦材料的制備開辟了一條替代途徑。另外,處理為了實現(xiàn)高擊穿強度和大體積,通常將儲能電介質(zhì)制成多層電容器,該電容器由許多薄陶瓷層(~20-60μm)平行堆疊并通過端子表面連接而成。

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