最后，電改多模點(diǎn)格將分類和回歸模型組合成一個(gè)集成管道，應(yīng)用其搜索了整個(gè)無機(jī)晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫并預(yù)測出30多種新的潛在超導(dǎo)體。文章詳細(xì)介紹了機(jī)器學(xué)習(xí)在指導(dǎo)化學(xué)合成、式試輔助多維材料表征、式試獲取新材料設(shè)計(jì)方法等方面的重要作用，并表示新一代的計(jì)算機(jī)科學(xué)，會(huì)對(duì)材料科學(xué)產(chǎn)生變革性的作用。局形這就是最后的結(jié)果分析過程。

參考文獻(xiàn)[1]K.T.Butler,D.W.Davies,H.Cartwright,O.Isayev,A.Walsh,Nature,559(2018)547.[2]D.-H.Kim,T.J.Kim,X.Wang,M.Kim,Y.-J.Quan,J.W.Oh,S.-H.Min,H.Kim,B.Bhandari,I.Yang,InternationalJournalofPrecisionEngineeringandManufacturing-GreenTechnology,5(2018)555-568.[3]周子揚(yáng),電子世界,(2017)72-73.[4]O.Isayev,C.Oses,C.Toher,E.Gossett,S.Curtarolo,A.Tropsha,Naturecommunications,8(2017)15679.[5]V.Stanev,C.Oses,A.G.Kusne,E.Rodriguez,J.Paglione,S.Curtarolo,I.Takeuchi,npjComputationalMaterials,4(2018)29.[6]A.Rovinelli,M.D.Sangid,H.Proudhon,W.Ludwig,npjComputationalMaterials,4(2018)35.[7]J.C.Agar,Y.Cao,B.Naul,S.Pandya,S.vanderWalt,A.I.Luo,J.T.Maher,N.Balke,S.Jesse,S.V.Kalinin,AdvancedMaterials,30(2018)1800701.[8]R.K.Vasudevan,N.Laanait,E.M.Ferragut,K.Wang,D.B.Geohegan,K.Xiao,M.Ziatdinov,S.Jesse,O.Dyck,S.V.Kalinin,npjComputationalMaterials,4(2018)30.[9]A.Maksov,O.Dyck,K.Wang,K.Xiao,D.B.Geohegan,B.G.Sumpter,R.K.Vasudevan,S.Jesse,S.V.Kalinin,M.Ziatdinov,npjComputationalMaterials,5(2019)12.[10]Y.Zhang,C.Ling,NpjComputationalMaterials,4(2018)25.[11]H.Trivedi,V.V.Shvartsman,M.S.Medeiros,R.C.Pullar,D.C.Lupascu,npjComputationalMaterials,4(2018)28.往期回顧：電改多模點(diǎn)格認(rèn)識(shí)這些帶你輕松上王者——電催化產(chǎn)氧（OER）測試手段解析新能源材料領(lǐng)域常見的碳包覆法——應(yīng)用及特點(diǎn)單晶培養(yǎng)秘訣——知己知彼，電改多模點(diǎn)格對(duì)癥下方，方能功成。單晶多晶的電子衍射花樣你都了解嗎?本文由材料人專欄科技顧問溪蓓供稿，式試材料人編輯部Alisa編輯。

首先，局形利用主成分分析法（PCA）對(duì)鐵電磁滯回線進(jìn)行降噪處理，局形降噪后的磁滯曲線由（圖3-7）黑線所示，能夠很好的擬合磁滯回線所有結(jié)構(gòu)特征，解決了傳統(tǒng)15參數(shù)函數(shù)擬合精度不夠的問題（圖3-7）紅色。

圖3-5?隨機(jī)森林算法流程圖圖3-6超導(dǎo)材料的Tc散點(diǎn)圖3.2輔助材料測試的表征近年來，電改多模點(diǎn)格由于原位探針的出現(xiàn)，電改多模點(diǎn)格使研究人員研究鐵電疇結(jié)構(gòu)在外部刺激下的翻轉(zhuǎn)機(jī)制成為可能。這兩種共聚物表現(xiàn)出稍高的分子堆積順序和相似的電荷傳輸性能，式試這表明三元共聚方法可以微調(diào)給體聚合物的HOMO水平，式試而共混薄膜的形態(tài)和遷移率幾乎不受影響。

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所得的方法學(xué)適用于各種基材，式試從富電子單元到具有大空間端基的缺電子單元。在目前對(duì)有機(jī)鹵素鍵合共晶體的研究的基礎(chǔ)上，局形作者進(jìn)一步討論了成就以及存在的挑戰(zhàn)。