發(fā)表學(xué)術(shù)論文560余篇，良性申請中國發(fā)明專利100余項。通道2008年兼任北京航空航天大學(xué)化學(xué)與環(huán)境學(xué)院院長。產(chǎn)業(yè)兩種方法均被證明在調(diào)節(jié)電荷向O的轉(zhuǎn)移以及HER性能的變化中起關(guān)鍵作用。

中國化學(xué)會副理事長、發(fā)展中國國際科技促進(jìn)會副會長、發(fā)展中關(guān)村石墨烯產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長、中關(guān)村科技園區(qū)豐臺園科協(xié)第三屆委員會主席、教育部科技委委員及學(xué)風(fēng)建設(shè)委員會副主任和國際合作學(xué)部副主任。由于固有的多級不對稱性，漸入混合膜表現(xiàn)出電荷控制的不對稱離子傳輸行為，可以大大減少離子極化現(xiàn)象。

高導(dǎo)電性、良性卓越的吸附能力和精細(xì)的結(jié)構(gòu)使GQF成為一種很有前途的實時氣體檢測方法。

這樣的膜設(shè)計大大促進(jìn)了跨膜離子的擴(kuò)散，通道有助于實現(xiàn)5.06Wm-2的高功率密度，這是基于納米流體膜的滲透能轉(zhuǎn)換的最高值?？臻g限制單晶薄膜制備技術(shù)通過簡介我們了解到，產(chǎn)業(yè)單晶器件制備的難點之一就是在如何調(diào)控單晶的厚度及把單晶集成到器件之中，產(chǎn)業(yè)目前通過使用夾片，壓縮單晶生長的空間，從而制備厚度較薄的單晶薄膜是一種應(yīng)用廣泛可行的方法。

本文中引用的文獻(xiàn)也列在其后，發(fā)展希望能給廣大研友的研究有一定的幫助和啟發(fā)。圖1空間限制法示意圖自頂而下單晶薄膜制備技術(shù)（Top-Down）大尺寸單晶合成技術(shù)發(fā)展的已經(jīng)相對成熟，漸入如果不在襯底上進(jìn)行單晶薄膜的生長，漸入如何將單晶塊制備集成在器件之中呢？研究者針對這個問題提出了自頂向下的單晶薄膜制備技術(shù)，通過對制備好的單晶塊狀晶體進(jìn)行物理或者化學(xué)切割從而調(diào)控其單晶厚度，同時轉(zhuǎn)移單晶到所需要的襯底薄膜或在單晶片蒸鍍電極進(jìn)行器件的制備集成。

綜上所述，良性空間限制生長法是一種兼容性強(qiáng)、良性易于操作的單晶薄膜制備方法，通過對單晶合成方法的結(jié)合選擇，調(diào)控夾片之間空間的幾何形貌和距離、溶液的流動性及襯底的親水性都能夠起到調(diào)控單晶薄膜厚度及質(zhì)量的效果。鈣鈦礦單晶器件保留了單晶優(yōu)異的光電性質(zhì)和極低的缺陷密度，通道在未來對于制備高效、穩(wěn)定、高純結(jié)晶相的鈣鈦礦光電器件具有十分重要的意義。