另外微型MICs器件的制備和組裝技術(shù)相對復(fù)雜,助中需要更為簡便的技術(shù)路線來滿足實(shí)際需求。發(fā)展(f)循環(huán)性能和庫侖效率。(b)0.2mAg?1?電流密度下正極、工程國負(fù)極和LICs的GCD曲線比較。

工程界奧斯卡花落誰家?Bentley軟件邀您共助中國BIM發(fā)展

界奧件邀(b)噴印叉指電極的SEM圖像。相關(guān)成果以DualActiveandKineticallyInter-PromotingLi3VO4/GrapheneAnodeEnablingPrintableHighEnergyDensityLithiumIonMicroCapacitors發(fā)表在了在國際頂尖期刊《EnergyStorageMaterial》上,花落博士研究生張淼鑫為本文第一作者。

工程界奧斯卡花落誰家?Bentley軟件邀您共助中國BIM發(fā)展

金屬離子混合電容器(MICs,助中如Li+、Na+、K+、Zn2+等)已在學(xué)術(shù)界引起了極大的關(guān)注。

發(fā)展(d)0.2mVs?1掃描速率下CV曲線的電容貢獻(xiàn)。本工作進(jìn)一步用TEM原位退火前后計(jì)算的納米束衍射應(yīng)變圖的定量分析來說明這種應(yīng)變弛豫,工程國這些多尺度結(jié)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)尺寸分布(圖1G)顯示了一個(gè)宏觀尺度的隨機(jī)分布的等軸在幾十到幾百微米,工程國微觀尺度的孿晶骨架在幾微米,納米尺度的孿晶網(wǎng)絡(luò)在幾十到幾百納米。

本工作利用準(zhǔn)原位EBSD表征,界奧件邀捕捉到了納米孿晶Ti的孿生、去孿生、再孿生的演化過程,來表征納米孿晶Ti誘導(dǎo)塑性的機(jī)理。由于豐富的納米孿晶邊界為溝道點(diǎn)缺陷提供了高密度的界面,花落從而阻止了空洞的形成納米孿晶Ti,因此還具有良好的抗輻射損傷能力。

在塑性變形的最后階段,助中應(yīng)變硬化速率迅速下降,這一階段的微觀組織與嚴(yán)重的晶粒細(xì)化有關(guān),特別是在變形局部化階段。發(fā)展TEM圖像顯示了673K回火步驟前后相同的納米孿晶結(jié)構(gòu)。

友鏈

外鏈

互鏈


Copyright © 2023 Powered by
工程界奧斯卡花落誰家?Bentley軟件邀您共助中國BIM發(fā)展-博大精深網(wǎng)
sitemap

贊一個(gè)、收藏了!

分享給朋友看看這篇文章

相關(guān)標(biāo)簽

熱門推薦