安心(d,e)不同沉積溫度下制備的薄膜SEM以及相應(yīng)的晶粒尺寸統(tǒng)計(jì)分布。步入圖三準(zhǔn)外延Sb2S3薄膜表征(a-d)基于低溫TiO2薄膜生長(zhǎng)的Sb2S3薄膜形貌表征。【圖文導(dǎo)讀】圖一(Sb4S6)n晶體在TiO2上的典型異質(zhì)生長(zhǎng)示意圖(a)TiO2納米顆?;咨系腫hk0]取向Sb2S3,第多少不利于載流子傳輸和分離。

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此外Sb2S3薄膜表面經(jīng)由沉積方法的進(jìn)一步調(diào)控,份工可實(shí)現(xiàn)更有效的織構(gòu)型光俘獲微結(jié)構(gòu)。同時(shí)織構(gòu)的Sb2S3薄膜微結(jié)構(gòu)表面可實(shí)現(xiàn)更有效的光俘獲,作掙從而短路電流由13.6提升至15.8mA/cm2,最終實(shí)現(xiàn)了5.4%的光電轉(zhuǎn)換效率。

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安心(d,e)掠入射角為0.2°和1°條件下外延生長(zhǎng)的Sb2S3薄膜GIWAXS。

步入(b)PCE隨晶粒尺寸變化分布。第多少b)導(dǎo)電聚合物中sp2雜化和共軛π鍵的示意圖。

圖28一種柔軟的熱電(FTE)裝置a)基于紡織品的FTE裝置的示意圖,份工其中紡織品纖維充當(dāng)TE單元并且它們被充分地體現(xiàn)在用作間隔物的織物中。本文總結(jié)了柔性熱電材料和器件發(fā)展的最新技術(shù),作掙包括通過(guò)將材料化學(xué)和物理與性能相關(guān)聯(lián)來(lái)探索柔性熱電材料和器件性能背后的基本原理,作掙突出了高性能柔性熱電材料的局限性以及與每種優(yōu)化策略相關(guān)的基本機(jī)制。

安心d)類似手鐲的無(wú)機(jī)基FTE裝置的示意圖。步入c)Bi2Te3納米晶體生長(zhǎng)期間納米孔生成的示意圖。

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