宏電(d)pH=5時(shí)的DNA11納米結(jié)構(gòu)的AFM圖像。圖七、線通信行業(yè)DNA納米結(jié)構(gòu)作為納米材料組裝的模板(a)以DNA1為模板的納米粒子組裝及TEM圖像。圖五、電力基于AIE的DNA二維納米片(a)基于TPE的兩親物的結(jié)構(gòu)及其自組裝成納米片的過程。

宏電H7000 GPRS無線通信在電力行業(yè)的應(yīng)用

宏電(d-f)DNA9螺旋帶上AuNPs和AuNRs螺旋結(jié)構(gòu)的示意圖和TEM圖像。(b-e)DNA6納米片的SEM,線通信行業(yè)TEM和HR-TEM圖像。

宏電H7000 GPRS無線通信在電力行業(yè)的應(yīng)用

(c)DNA4@1囊泡的TEM圖像,電力插圖顯示了囊泡的放大圖像。

宏電該文章近日以題為DNA?πAmphiphiles:AUniqueBuildingBlockfortheCraftingofDNA-DecoratedUnilamellarNanostructures發(fā)表在知名綜述Acc.Chem.Res.上。線通信行業(yè)(i)突觸后膜電流變化幅度隨柵極電壓的變化。

【圖文解讀】圖一、電力用于突觸器件和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算應(yīng)用的2D材料概述圖二、2D材料和異質(zhì)結(jié)(a)2D材料目錄,包括金屬、半導(dǎo)體和絕緣體。宏電(f)Au/MoS2/Cu憶阻器的光學(xué)圖像和示意圖。

圖六、線通信行業(yè)基于MoTe2結(jié)構(gòu)相變的憶阻行為(a)垂直TMD器件的示意圖以及光學(xué)和SEM圖像,其中Ti/Ni、Ti/Au和SiO2薄膜分別用作頂部電極、底部電極和隔離層。(c)應(yīng)用PVS序列,電力先是非易失性電阻開關(guān)的突然增加,再是額外的電流增加。

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