通過兩種熱退火技術(shù)，天津投運(yùn)EDX證實(shí)了單晶Al-納米線的形成，天津投運(yùn)揭示了一種雙核殼結(jié)構(gòu)，鋁核被一層薄的Ge覆蓋，同時(shí)，鋁核也被另一個(gè)低Ge濃度區(qū)域的Al2O3殼覆蓋?！境晒喗椤拷?，首批法國格勒諾布爾大學(xué)MartienDenHertog教授提供了一種非常有應(yīng)用前景的納米線的原位TEM研究，首批其中鋁金屬進(jìn)入鍺半導(dǎo)體納米線以形成極其突然和潔凈的軸向金屬-半導(dǎo)體界面。圖四：新氫EDX分析鋁層結(jié)構(gòu)(a)在380℃下，新氫Hb加熱進(jìn)行相位傳播后，STEM圖像(b)EDX超圖圖五：HAADFSTEM圖像及其建議機(jī)理????鍺原子可以通過表面通道擴(kuò)散到鋁儲層，鋁原子通過體積擴(kuò)散提供給反應(yīng)界面。

然而，動力金屬和半導(dǎo)體納米線之間的接觸質(zhì)量大大限制了這些器件的效率以及在新型納米電子器件中的應(yīng)用。Al核周圍存在含Ge的殼，配套表明Ge通過表面擴(kuò)散擴(kuò)散回金屬儲層，通過EDX檢測可以得到證實(shí)。

為了將這些半導(dǎo)體納米線結(jié)合到納米電子應(yīng)用中，天津投運(yùn)需要實(shí)現(xiàn)低歐姆電阻接觸，天津投運(yùn)使用Si中的硅化工藝或Ge中的鍺化工藝，以有效地從器件注入電流和提取電流。

首批該成果近日以題為InSituTransmissionElectronMicroscopyAnalysisofAluminum?GermaniumNanowireSolid-StateReaction發(fā)表在知名期刊NanoLett.上。新氫（b）紫外光電子能譜（UPS）數(shù)據(jù)的(BA)2PbI4/(BA)2(MA)Pb2I7異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶圖。

動力（2）有意設(shè)計(jì)窄帶波段有源吸收材料。這項(xiàng)研究不僅為基礎(chǔ)研究和電子和光電應(yīng)用提供了一種可控合成高質(zhì)量純相二維鈣鈦礦基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的途徑，配套也為多色成像技術(shù)實(shí)現(xiàn)無濾光紫外、配套可見光或紅外窄帶雙波段光電探測提供了一種替代方法。

這種生長過程可以控制濃度、天津投運(yùn)反應(yīng)溫度和時(shí)間，獲得具有不同厚度和結(jié)深度的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，是一種有效的合成方法。迄今為止，首批窄帶光電探測器是通過（1）將寬帶光電探測器與帶通濾波器相結(jié)合來實(shí)現(xiàn)。