d塑性應(yīng)變?yōu)?.0%和14%時(shí)UFGTi-0.3O的IPF圖,解決以及KAM圖.?2022Theauthors圖5CG和UFGTi-0.3O的GB化學(xué)分析。a77K拉伸斷裂(εf~1.5%)后,中控智能線CGTi-0.3O合金中出現(xiàn)排列良好的(10-10)柱面位錯(cuò)滑移。可觀察到大量c+a位錯(cuò)(c-i和c-iii),生物識(shí)別并與a位錯(cuò)以波狀構(gòu)型(c-ii和c-iv)相互作用。

中控智能生物識(shí)別在線巡更解決方案

巡更(2)發(fā)現(xiàn)細(xì)化晶??梢韵♂尵Ы缣嶰含量并提高c+a位錯(cuò)活性。在Ti-0.3wt中,解決超細(xì)晶粒(UFG)微觀結(jié)構(gòu)(晶粒尺寸~2.0μm)的均勻伸長(zhǎng)與77K時(shí)極脆的粗晶粒相比,解決成功地提高了一個(gè)數(shù)量級(jí),并保持了UFG微觀結(jié)構(gòu)固有的超高屈服強(qiáng)度。

中控智能生物識(shí)別在線巡更解決方案

這種策略不僅促進(jìn)高強(qiáng)度Ti-O合金在低溫下的潛在應(yīng)用,中控智能線而且還可以應(yīng)用于其他合金體系。

當(dāng)合金中的O含量達(dá)到3%時(shí),生物識(shí)別合金在77K表現(xiàn)出極差的塑性,阻礙了鈦合金在液體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)以及液氮/氦容器中的應(yīng)用。巡更(f)表面限制和擴(kuò)散控制對(duì)10mVs-1下γ相Ni-Cooxyhydroxides電荷存儲(chǔ)的貢獻(xiàn)。

解決(a)材料表面與水分子的電荷密度差分。中控智能線(i)Ni-Cooxyhydroxides和AC支撐在泡沫鎳上彎曲成拱形。

生物識(shí)別圖2.γ相Ni-Cooxyhydroxides的形貌和組分表征。巡更圖3.電化學(xué)重構(gòu)前后的電子和晶體結(jié)構(gòu)表征。

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