因此，個(gè)重相對(duì)于電子給體的設(shè)計(jì)，電子受體的調(diào)控對(duì)D-A-D結(jié)構(gòu)熒光分子的性能具有更加顯著的影響。此外，點(diǎn)項(xiàng)高生物相容性的2TT-2BBTD納米聚集體在近紅外二區(qū)熒光-光聲-光熱三模態(tài)成像指導(dǎo)的光動(dòng)力-光熱協(xié)同治療中表現(xiàn)優(yōu)異。不同的是，億元重約引1A體系呈現(xiàn)出較弱的AIE效應(yīng)到聚集淬滅發(fā)光（ACQ）的現(xiàn)象（圖2d），而2A體系卻展現(xiàn)出ACQ到AIE性質(zhì)的轉(zhuǎn)變（圖2h）。

然而，慶兩區(qū)簽受制于新受體開發(fā)的挑戰(zhàn)性以及當(dāng)前具有強(qiáng)吸電子能力受體的數(shù)目十分有限，利用受體工程構(gòu)筑高性能有機(jī)熒光分子的研究一直停滯不前。通常，江新進(jìn)D-A-D結(jié)構(gòu)分子的最高占據(jù)分子軌道（HOMO）分布于整個(gè)共軛骨架，而最低未占分子軌道（LUMO）幾乎定域在受體基元部分。

基于以上突出優(yōu)勢(shì)，個(gè)重由2TT-2BBTD分子組成的納米聚集體在808nm激光照射下同時(shí)展現(xiàn)出長(zhǎng)的近紅外二區(qū)熒光發(fā)射、個(gè)重高的發(fā)光效率、良好的活性氧生成能力、高光熱轉(zhuǎn)化效率以及優(yōu)異的光熱穩(wěn)定性（圖4）。

點(diǎn)項(xiàng)(b,c)納米制備和多模態(tài)光學(xué)診療應(yīng)用。再者，億元重約引隨著計(jì)算機(jī)的發(fā)展，億元重約引許多諸如第一性原理計(jì)算、相場(chǎng)模擬、有限元分析等手段隨之出現(xiàn)，用以進(jìn)行材料的結(jié)構(gòu)以及性能方面的計(jì)算，但是往往計(jì)算量大，費(fèi)用大。

圖3-1機(jī)器學(xué)習(xí)流程圖圖3-2?數(shù)據(jù)集分類圖圖3-3???????????????????????圖3-3?帶隙能與電離勢(shì)關(guān)系圖圖3-4?模型預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)與計(jì)算數(shù)據(jù)的對(duì)比曲線2018年Zong[5]等人采用隨機(jī)森林算法以及回歸模型，慶兩區(qū)簽來研究超導(dǎo)體的臨界溫度。2018年，江新進(jìn)在nature正刊上發(fā)表了一篇題為機(jī)器學(xué)習(xí)在分子以及材料科學(xué)中的應(yīng)用的綜述性文章[1]。

目前，個(gè)重機(jī)器學(xué)習(xí)在材料科學(xué)中已經(jīng)得到了一些進(jìn)展，如進(jìn)行材料結(jié)構(gòu)、相變及缺陷的分析[4-6]、輔助材料測(cè)試的表征[7-9]等。另外7個(gè)模型為回歸模型，點(diǎn)項(xiàng)預(yù)測(cè)絕緣體材料的帶隙能（EBG），點(diǎn)項(xiàng)體積模量（BVRH），剪切模量（GVRH），徳拜溫度（θD），定壓熱容（CP），定容熱容（Cv）以及熱擴(kuò)散系數(shù)（αv）。