經(jīng)Ar/O2→甲酸活化鍵合的界面會生成厚度約8nm的富碳層，旅電結(jié)合界面力學(xué)性能測試發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)會弱化界面鍵合強(qiáng)度。研究結(jié)果表明即使在較低的能量熱輸入條件下，融合實(shí)現(xiàn)的Cu-Cu和SiO2-SiO2鍵合結(jié)構(gòu)均具有優(yōu)異的界面微觀結(jié)構(gòu)與性能，融合且SiO2表面過量的HCOO-基團(tuán)數(shù)量通過延緩親電腐蝕和酯化反應(yīng)得以顯著抑制，改善了界面力學(xué)和電氣性能。博士畢業(yè)于東京大學(xué)，助力智慧曾任東京大學(xué)JSPS外籍特別研究員，助力智慧作為主任研究員參與日本科技振興機(jī)構(gòu)戰(zhàn)略創(chuàng)造推進(jìn)事業(yè)重大項(xiàng)目(JST-CREST)，2014年底回國加盟哈工大先進(jìn)焊接與連接重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室微納連接與加工團(tuán)隊(duì)，主要研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體晶圓室溫連接、芯片三維鍵合集成、生物材料連接。

然而目前該技術(shù)的所需鍵合溫度往往接近400℃以保證界面鍵合質(zhì)量，景區(qū)高溫連接存在芯片性能惡化的風(fēng)險(xiǎn)。本研究成果有望應(yīng)用于高密度無凸點(diǎn)三維互連，升級將促進(jìn)新一代以內(nèi)存為中心的芯片架構(gòu)和類單片集成高性能器件開發(fā)。

而通過甲酸→Ar/O2獲得的SiO2表面除形成高密度Si-OH之外能夠抑制多余碳元素的富集，安徽最終可獲得牢固的鍵合界面。

已授權(quán)中國和日本發(fā)明專利14項(xiàng)，肥西國際會議特邀報(bào)告5次。此外，供電MicroLED的體積約為目前主流LED大小的1%，供電且應(yīng)用范圍非常廣闊，可應(yīng)用小至手環(huán)和手表等可穿戴設(shè)備，大至商用廣告牌和公共顯示屏，甚至VR或者VR設(shè)備等的，并且表現(xiàn)比傳統(tǒng)的液晶面板甚至OLED都更好一些。

此外，旅電他們還在考慮將MicroLED的應(yīng)用擴(kuò)展到小型顯示屏，如廣告標(biāo)牌和智能手表等如上圖所示，融合左邊是55英寸的LGC4OLED電視，右邊是77英寸的LGG4OLED電視。

消息稱LG2024款OLED電視處理器也將大升級，助力智慧型號為Alpha10，助力智慧新款芯片的NPU性能將會顯著加強(qiáng)，具備改進(jìn)的圖像分析、降噪、物體識別功能以及基于人工智能的音頻增強(qiáng)功能。此前，景區(qū)該系列電視出現(xiàn)在了AMD的FreeSync認(rèn)證數(shù)據(jù)庫，C4和G4將支持144Hz刷新率，VRR范圍為40-144Hz。

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