圖5g對比比較了幾種碳材料的比容量和速率性能,小題其中PHCNT-4因具有豐富的微孔/介孔、小題大孔體積、增強(qiáng)的表面積和優(yōu)異的電導(dǎo)率,表現(xiàn)了比碳納米管等材料更高的比電容和循環(huán)容量。與In3+物種相比,源于Zn2+物種的價態(tài)較低,因此在高溫氧化還原反應(yīng)過程中消耗的碳納米粒子更少,從而提高了石墨化程度(圖3c)。PHCNT-4電極在0.1、小題0.5和1Ag-1時分別表現(xiàn)出318.6、275.1和256.9mAhg-1的可逆容量,占CNT的分別為122.4、62.7和53.1mAhg-1的260-484%。

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此外,源于電子態(tài)密度(DOS)函數(shù)分析揭示了PHCNT-4具有更高的電導(dǎo)率,這與實驗結(jié)果一致,表明其更適合作為電極材料。O1s高分辨率光譜證實了酸刻后PHCNT-4材料中的In-O鍵的消失,小題這與TEM和PXRD結(jié)果一致,表明酸化成功去除了殘留的金屬納米顆粒。

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193.4mAhg-1?@5Ag-1),源于顯示出其卓越的電容儲能能力。

這些結(jié)構(gòu)通過熱解(圖2e,小題f)和酸蝕(圖2g)得到強(qiáng)化,形成具有大表面積和豐富孔結(jié)構(gòu)的多孔PHCNT-4。該研究呈現(xiàn)了一項可擴(kuò)展的技術(shù)創(chuàng)新,源于用于芯片制造,?工業(yè)熱管理,和可持續(xù)新能源。

小題相關(guān)研究成果Electricallygatedmolecularthermalswitch為題剛剛發(fā)表在Science上。加州大學(xué)洛杉磯分校團(tuán)隊展示了電子控制熱晶體管,源于其開關(guān)速度超過1兆赫茲或每秒100萬個周期,實現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的高性能。

小題這些半導(dǎo)體器件可以放大或切換電信號和功率。這種新型電子器件應(yīng)用范圍廣泛,源于能夠以最高速度準(zhǔn)確地開啟和關(guān)閉熱量,從而大大提高芯片的熱管理和工作性能。

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