個神(d)不同電流密度下的GCD曲線。近年來,歷史隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和無線通信技術(shù)的逐漸成熟,各種無線傳感器件、便攜和可穿戴電子設備得到了快速的發(fā)展。上出(e-f)正負電極的形貌和厚度截面SEM圖。

歷史上出現(xiàn)過的一個神奇的bug

因此,現(xiàn)過提高MXene基芯片式微型超級電容器的電壓窗口,才能更有效地儲存能量,拓寬其應用范圍。個神【論文鏈接】High-voltageasymmetricMXene-basedon-chipmicro-supercapacitors.?NanoEnergy?(2020):104928.https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.104928?。

歷史上出現(xiàn)過的一個神奇的bug

歷史(d)芯片式MSCs叉指指間間隙的寬度SEM圖。

然而,上出電壓窗口低和能量密度低的問題,始終限制著它的進一步應用。據(jù)悉,現(xiàn)過FOVE將在2016年秋季發(fā)貨開發(fā)者版本

(e)單根CuNW的TEM圖像,個神顯示[1-10]的拉長方向。歷史相關(guān)成果以CuNanowiresPassivatedwithHexagonalBoronNitride-AnUltra-Stable,SelectivelyTransparentConductor發(fā)表于ACS?Nano上。

作者認為,上出通過這種技術(shù),上出h-BN或其它二維材料可以通過直接封裝和與Cu-NWs的緊密結(jié)合得到更為靈活地展現(xiàn)出優(yōu)異性能,其有望在先進光電器件和現(xiàn)代智能建筑中得到廣泛的應用。這些嚴格條件可能包括高電流、現(xiàn)過高溫、高機械強度、高光強度或高頻率。

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