?(A)APT重構(gòu)中的Zr元素等值面以及感興趣的立方體區(qū)域;?(B)沿立方體區(qū)域z軸方向Zr、牌選Si和Y元素濃度分布。(C)沿立方體區(qū)域z軸方向Y元素濃度分布,影t醫(yī)養(yǎng)健證明?Y元素在ZrO2/SiO2異相界面的偏析。?(A-C)?STEM-EDX成分分析結(jié)果,響濟(jì)由于Y元素含量較低而不能通過STEM-EDX技術(shù)準(zhǔn)確獲取其分布;?(D-G)經(jīng)降噪處理后的STEM-EELS成分分析結(jié)果,響濟(jì)可觀察到部分Y元素分布于ZrO2納米粒子晶內(nèi)。

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康品該研究以題為Three-dimensionalinsightsintointerfacial?segregationattheatomicscaleinananocrystallineglass-ceramic發(fā)表在國際著名期刊NanoLetters上。牌選圖2.采用透射電鏡技術(shù)表征Y元素?fù)诫sZrO2-SiO2納米玻璃陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)。

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影t醫(yī)養(yǎng)健三維原子探針層析技術(shù)(AtomProbeTomography,APT)是近年來興起的的可以獲得材料原子級空間分辨率三維表征方法。

?(F)?(E)圖中對應(yīng)的二維成分等高線圖,響濟(jì)在ZrO2/SiO2異相界面(用白色箭頭表示)出現(xiàn)了Y元素偏析和Zr/Si相互擴(kuò)散層(對應(yīng)白色)。因此,康品為了在AM鈦合金中獲得細(xì)小的等軸β晶粒,必須充分注意避免β晶粒的熱影響粗化,特別是對于包含大量熱量累積的大型零件的高效率沉積。

在本研究中,牌選對于25℃和800℃基材,單層高度分別約為637~1640μm和787~2738μm。值得注意的是,影t醫(yī)養(yǎng)健在初始β-晶粒較小、激光能量密度較大和預(yù)熱溫度較高的情況下,晶粒粗化更加嚴(yán)重。

因此,響濟(jì)相應(yīng)的理論層厚分別為255~656μm和315~1095μm。另一方面,康品以前所有關(guān)于AM鈦合金HAZ的研究主要集中在α相的粗化(層帶:康品粗大的魏氏α集束)和隨工藝參數(shù)變化的HAZ,然而,在動力學(xué)上與α相的粗化完全不同的AM鈦合金HAZ中的β晶粒的粗化被完全忽視了。

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